[发明专利]太阳能电池及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及太阳能电池及其制造方法，更具体地讲，涉及包括杂质层的太阳能电池及其制造方法。

背景技术

近来，随着诸如石油和煤的已有能源正在耗尽，对替代能源的关注正在增加。具体地讲，作为下一代替代能源，直接将太阳能转换为电能的太阳能电池引人关注。

在这种太阳能电池中，为了进行光电转换，形成杂质层以形成pn结，形成电极以连接到n型杂质层和/或p型杂质层。为了增强杂质层的特性，已提出分别向杂质层中注入不同量的杂质的结构。然而，在这种结构中，在接触各个电极的区域中的空穴和电子的表面复合可能增加，从而使太阳能电池的效率变差。

发明内容

因此，鉴于上述问题，一个目的在于提供一种太阳能电池，该太阳能电池包括具有改进的结构的杂质层，从而实现增强的效率。

另一目的在于提供一种用于利用简单的工艺制造太阳能电池的方法，该太阳能电池包括具有改进的结构的杂质层从而实现增强的效率。

根据一个方面，可通过提供一种太阳能电池来实现以上和其它目的，该太阳能电池包括：具有第一导电类型的半导体基板；在所述半导体基板的表面上的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述半导体基板的第二电极，其中，所述发射层包括与所述第一电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分，所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻，其中，所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。

根据另一方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：具有第一导电类型的半导体基板；在所述半导体基板的表面上的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；在所述半导体基板的另一表面上的背面场层，该背面场层具有所述第一导电类型；以及电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述背面场层的第二电极，其中，所述发射层和背面场层中的至少一个包括分别与所述第一电极或所述第二电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分，所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻，其中，所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。

根据另一方面，提供了一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板处形成杂质层，其中，形成所述杂质层包括以下步骤，通过将杂质掺杂到所述半导体基板中来形成低浓度掺杂部分，以及通过对形成在所述低浓度掺杂部分上方的玻璃组成层选择性地施加热来形成具有比所述低浓度掺杂部分的电阻低的电阻的高浓度掺杂部分，其中，形成所述高浓度掺杂部分包括形成具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的电阻的第二区域。

附图说明

从以下结合附图进行的详细描述，以上和其它目的、特征和其它优点将更清楚地理解，附图中：

图1是根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池的截面图；

图2是示意性地示出图1的太阳能电池中的第一电极和发射层的结构的平面图；

图3a至图3k是示出根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池的制造方法的截面图；

图4是根据本发明的另一示例性实施方式的太阳能电池的截面图；

图5是根据本发明的另一示例性实施方式的太阳能电池的截面图；

图6是根据本发明的另一示例性实施方式的太阳能电池的截面图；以及

图7是根据本发明的另一示例性实施方式的太阳能电池的截面图。

具体实施方式

现在将详细说明本发明的优选实施方式，这些优选实施方式的示例示出在附图中。这些实施方式并非旨在限制本发明。也可提供其它实施方式。

为了描述清晰起见，图中可省略除了构成本发明的基本特征的元件之外的构成元件。相同的标号始终指代相同的元件。在附图中，为了说明清晰和方便起见，构成元件的宽度、厚度等可能被夸大或缩小。本发明不限于所示出的厚度、宽度等。