[发明专利]提高高压器件浅沟槽隔离性能的方法

权利要求书

1.一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一具有硅衬底的半导体结构，所述半导体结构包括高压器件区及低压逻辑区，所述衬底的上表面自下而上顺序依次生长有一衬垫氧化层和一氮化硅层；

步骤S2、采用光刻、刻蚀工艺，于所述半导体结构的高压器件区内制备第一沟槽，并形成氮化硅保留层；

步骤S3、制备第二抗反射层充满所述第一沟槽且覆盖所述氮化硅保留层的上表面；

步骤S4、回蚀所述第二抗反射层至所述氮化硅保留层的上表面，形成位于所述第一沟槽内的第二抗反射保留层，并继续光刻、刻蚀工艺，于所述低压逻辑区内制备第二沟槽；

其中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。

2.根据权利要求1所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：

1）于所述氮化硅层的上表面生长第一抗反射层后，旋涂光刻胶覆盖该第一抗反射层的上表面；

2）曝光、显影后，去除多余的光刻胶，形成具有第一沟槽图案的光阻，并以该光阻为掩膜，依次刻蚀所述第一抗反射层、所述氮化硅层至所述衬垫氧化层的上表面，去除所述光阻和剩余的第一抗反射层后，形成具有第一沟槽图案的氮化硅保留层；

3）以所述氮化硅保留层为掩膜刻蚀所述衬垫氧化层至所述衬底内，形成所述第一沟槽。

3.根据权利要求1所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，所述步骤S4包括以下步骤：

1）回蚀所述第二抗反射层至所述氮化硅保留层的上表面，并于所述第一沟槽内形成第二抗反射保留层；

2）旋涂光刻胶覆盖所述氮化硅保留层的上表面并同时充满所述第一沟槽未被所述第二抗反射保留层填充的部分，曝光、显影后，去除多余的光刻胶，形成具有第二沟槽图案的光阻，并以该光阻为掩膜，刻蚀剩余的衬垫氧化层和衬底，形成第二沟槽。

4.根据权利要求2或3所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，采用等离子刻蚀衬底及剩余衬底形成所述第一沟槽及第二沟槽。

5.根据权利要求6所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，通过控制所述等离子刻蚀条件进而控制所述第一沟槽及第二沟槽的深度，以满足不同的工艺需求。

6.根据权利要求1所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，所述第二抗反射层剩余结构的上表面位于剩余氧化层的下表面。

7.根据权利要求1所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，所述步骤S1中硅衬底材质单晶硅。

8.根据权利要求1所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，所述步骤S1中衬垫氧化层为氧化硅层。

9.根据权利要求1所述的一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，所述第一抗反射涂层与所述第二抗反射涂层的材质是不同的。