[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 201310165498.2 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN103413821A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 庞慰;杨清瑞;郑云卓;张浩;张代化 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:

封装基板,包括用于连接键合线的键合区;

至少一个管芯,设置于所述封装基板上,其中,每个管芯包括晶圆衬底以及设置于所述晶圆衬底上的管脚,所述管脚用于连接键合线,其中,每个晶圆衬底的厚度为50um-400um。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述管芯的数量为多个,且多个管芯中的至少部分管芯并排设置于所述封装基板上,并且多个管芯的晶圆衬底厚度彼此相等或不等。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述管芯的数量为多个,且多个管芯中的至少部分管芯以层叠的方式设置于所述封装基板上,并且以层叠方式设置的多个管芯的晶圆衬底厚度相等或不等。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,以层叠方式设置的多个管芯彼此之间通过粘合层材料进行固定。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,管芯通过粘合层材料固定于所述封装基板。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件,其特征在于,所述粘合层材料包括但不限于以下材料:导电胶、非导电胶、导电贴膜、非导电贴膜。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件为射频芯片或数字芯片。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件,其特征在于,每个晶圆衬底的厚度为50um-300um。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件,其特征在于,每个晶圆衬底的厚度为50um-250um。

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