[发明专利]发光元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310165613.6 申请日: 2013-05-08
公开(公告)号: CN103456617B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 生驹英之 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B28D5/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 党晓林,王小东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光元件的制造方法,其具备:

准备工序,将以预先规定的规定间隔形成了多列发光点的列的半导体晶片固定于固定台,以便制造多个呈长方形且形成有多个发光点的发光元件,其中,所述发光元件的所述多个发光点沿长边方向的一个边缘以比离另一边缘近的方式排成一列;

第一切割工序,将在所述准备工序中固定于所述固定台的所述半导体晶片沿所述发光点的列切割而形成所述发光元件的所述一个边缘,之后,相对于所述一个边缘隔开所述规定间隔地切割所述半导体晶片而形成另一边缘;以及

第二切割工序,在所述第一切割工序之后,使用旋转刀沿着与所述长边方向相交的短边方向对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割,从而从所述半导体晶片切割出所述发光元件,

在所述第一切割工序中,使用构成所述旋转刀的第一旋转刀以预先确定的总切割次数切割所述半导体晶片的所述长边方向,并且,使用第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液,

在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时,计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算已经切割了所述半导体晶片的已切割次数,

在所述第二切割工序中,使用一边旋转一边切割所述半导体晶片的构成所述旋转刀的第二旋转刀来切割所述半导体晶片的所述短边方向,并且,使用第二喷出部件朝向所述第二旋转刀喷出切削液,

在所述第一切割工序时,在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前,使切削液停止从所述第二喷出部件喷出,在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了所述预定次数之后,使切削液从所述第二喷出部件喷出,使所述第二旋转刀的温度在预定的范围内。

2.一种发光元件的制造方法,其具备:

准备工序,将以预先规定的规定间隔形成了多列发光点的列的半导体晶片固定于固定台,以便制造多个呈长方形且形成有多个发光点的发光元件,其中,所述发光元件的所述多个发光点沿长边方向的一个边缘以比离另一边缘近的方式排成一列;

第一切割工序,将在所述准备工序中固定于所述固定台的所述半导体晶片沿所述发光点的列切割而形成所述发光元件的所述一个边缘,之后,相对于所述一个边缘隔开所述规定间隔地切割所述半导体晶片而形成另一边缘;以及

第二切割工序,在所述第一切割工序之后,使用旋转刀沿着与所述长边方向相交的短边方向对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割,从而从所述半导体晶片切割出所述发光元件,

在所述第一切割工序中,使用构成所述旋转刀的第一旋转刀以预先确定的总切割次数切割所述半导体晶片的所述长边方向,并且,使用第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液,

在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时,计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算已经切割了所述半导体晶片的已切割次数,

在所述第二切割工序中,使用一边旋转一边切割所述半导体晶片的构成所述旋转刀的第二旋转刀来切割所述半导体晶片的所述短边方向,并且,使用第二喷出部件朝向所述第二旋转刀喷出切削液,

在所述第一切割工序时,在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前,使切削液停止从所述第二喷出部件喷出并且使所述第二旋转刀停止旋转,在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了所述预定次数之后,使切削液从所述第二喷出部件喷出,并且使所述第二旋转刀旋转,使所述第二旋转刀的温度在预定的范围内。

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