[发明专利]发光元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310165613.6 申请日: 2013-05-08
公开(公告)号: CN103456617B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 生驹英之 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B28D5/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 党晓林,王小东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及发光元件的制造方法。

背景技术

专利文献1中记载有能够防止因切割形成的碎屑飞散而产生的切削刀片的破损的切割方法。

具体而言是这样的切割方法:利用切削刀片将具有以预定角度形成的多个第一间隔道和第二间隔道的被加工物沿第一间隔道和第二间隔道进行切割,在切割第一间隔道后切割第二间隔道时,以切削刀片的基座侧朝向被加工物的未加工区域侧的方式进行切割。

现有技术文献

专利文献1:日本特开2001-85365号公报

发明内容

本发明的课题在于,在切割半导体晶片来制造发光元件时,抑制发光点受到损伤。

本发明的发明1的发光元件的制造方法的特征在于,其具备:准备工序,将以预先规定的规定间隔形成了多列发光点的列的半导体晶片固定于固定台,以便制造多个呈长方形且形成有多个发光点的发光元件,其中,所述发光元件的所述多个发光点沿长边方向的一个边缘以比离另一边缘近的方式排成一列;

第一切割工序,将在所述准备工序中固定于所述固定台的所述半导体晶片沿所述发光点的列切割而形成所述发光元件的所述一个边缘,之后,相对于所述一个边缘隔开所述规定间隔地切割所述半导体晶片而形成另一边缘;以及

第二切割工序,在所述第一切割工序之后,使用旋转刀沿着与所述长边方向相交的短边方向对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割,从而从所述半导体晶片切割出所述发光元件。

本发明的发明2的发光元件的制造方法在发明1的基础上,其特征在于,在所述第一切割工序中,使用构成所述旋转刀的第一旋转刀以预先确定的总切割次数切割所述半导体晶片的所述长边方向,并且,使用第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液,在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时,计数部件计算出相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算出已经切割了所述半导体晶片的已切割次数,在所述第二切割工序中,使用一边旋转一边切割所述半导体晶片的构成所述旋转刀的第二旋转刀来切割所述半导体晶片的所述短边方向,并且,使用第二喷出部件朝向所述第二旋转刀喷出切削液,在所述第一切割工序时,在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前,使切削液停止从所述第二喷出部件喷出,在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了所述预定次数之后,使切削液从所述第二喷出部件喷出。

本发明的发明3的发光元件的制造方法在发明1的基础上,其特征在于,在所述第一切割工序中,使用构成所述旋转刀的第一旋转刀以预先确定的总切割次数切割所述半导体晶片的所述长边方向,并且,使用第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液,在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时,计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算已经切割了所述半导体晶片的已切割次数,在所述第二切割工序中,使用一边旋转一边切割所述半导体晶片的构成所述旋转刀的第二旋转刀来切割所述半导体晶片的所述短边方向,并且,使用第二喷出部件朝向所述第二旋转刀喷出切削液,在所述第一切割工序时,在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前,使切削液停止从所述第二喷出部件喷出并且使所述第二旋转刀停止旋转,在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了所述预定次数之后,使切削液从所述第二喷出部件喷出,并且使所述第二旋转刀旋转。

发明效果

根据本发明的发明1的发光元件的制造方法,在通过切割半导体晶片来制造以沿长边方向的一个边缘排成一列的方式形成有多个发光点的发光元件时,与在形成发光元件的比一个边缘离发光点远的另一边缘之后形成一个边缘的情况相比,在切割半导体晶片来制造发光元件时,能够抑制在发光元件形成的发光点受到损伤。

根据本发明的发明2的发光元件的制造方法,与在第二旋转刀成为切割半导体的切割状态以前使切削液停止从第二喷出部件喷出的情况相比,能够抑制切削液的消耗,而且在第二旋转刀成为切割状态时,能够抑制切割位置的偏移。

根据本发明的发明3的发光元件的制造方法,与在使第二旋转刀成为切割半导体晶片的切割状态以前使切削液停止从第二喷出部件喷出并且使第二旋转刀停止旋转的情况相比,能够抑制切削液的消耗,而且在第二旋转刀成为切割状态时,能够抑制切割位置的偏移。

附图说明

图1为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的立体图。

图2为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的俯视图。

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