[发明专利]晶片切割装置以及半导体元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片切割装置以及半导体元件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中记载有这样的技术：为了消除由主轴的旋转导致的热应变的影响，在进行切割之前，使主轴旋转预定时间进行空转运转。

现有技术文献

专利文献1：日本特开平11-114949号公报

发明内容

本发明的课题在于，抑制切削液的消耗，而且在使处于切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，抑制切割位置的偏移。

本发明的发明1的晶片切割装置的特征在于，其具备：第一旋转刀，其以预先确定的总切割次数一边旋转一边对固定于固定台的半导体晶片进行切割；第二旋转刀，在所述第一旋转刀以所述总切割次数切割了所述半导体晶片之后，所述第二旋转刀一边旋转一边对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割；第一喷出部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液；第二喷出部件，其用于朝向所述第二旋转刀喷出切削液；计数部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算所述第一旋转刀已经切割了所述半导体晶片的已切割次数；以及控制部件，其控制切削液从所述第二喷出部件的喷出，在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前，所述控制部件使切削液停止从所述第二喷出部件喷出，在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了预定次数之后，所述控制部件使切削液从所述第二喷出部件喷出。

本发明的发明2的晶片切割装置的特征在于，其具备：第一旋转刀，其以预先确定的总切割次数一边旋转一边对固定于固定台的半导体晶片进行切割；第二旋转刀，在所述第一旋转刀以所述总切割次数切割了所述半导体晶片之后，所述第二旋转刀一边旋转一边对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割；第一喷出部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液；第二喷出部件，其用于朝向所述第二旋转刀喷出切削液；计数部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算所述第一旋转刀已经切割了所述半导体晶片的已切割次数；以及控制部件，其控制切削液从第二喷出部件的喷出以及所述第二旋转刀的旋转，在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者已切割次数达到预定次数以前，所述控制部件使切削液停止从所述第二喷出部件喷出并且使所述第二旋转刀停止旋转，在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了预定次数之后，所述控制部件使切削液从所述第二喷出部件喷出，并且使所述第二旋转刀旋转。

本发明的发明3的半导体元件的制造方法的特征在于，其具备：准备工序，将形成有多个半导体元件的半导体晶片固定于权利要求1或权利要求2所述的晶片切割装置所具备的固定台；以及切割工序，使用所述晶片切割装置所具备的第一旋转刀和第二旋转刀切割所述半导体晶片，从而从所述半导体晶片切割出半导体元件。

发明效果

根据本发明的发明1的晶片切割装置，与一直使切削液从第二喷出部件喷出的情况相比，不仅能够抑制切削液的消耗，而且在使处于切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，能够抑制切割位置的偏移。

根据本发明的发明2的晶片切割装置，与一直使切削液从第二喷出部件喷出的情况相比，不仅能够抑制切削液的消耗，而且在使处于切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，能够抑制切割位置的偏移。

根据本发明的发明3的半导体元件的制造方法，与在第二旋转刀处于切割休止状态时一直使切削液从第二喷出部件喷出的情况相比，能够抑制制造出的半导体元件的外形的尺寸波动。

附图说明

图1为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的立体图。

图2为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的俯视图。

图3为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的主视图。

图4为示出利用本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元切割半导体晶片的切割工序的工序图。

图5为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的控制部的控制系统的框图。

图6的（A）和（B）为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元和第二切割单元等的剖视图。

图7的（A）和（B）为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元和第二切割单元等的剖视图。