[发明专利]用于测试电阻型存储器的结构、系统和方法

权利要求书

1.一种用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，所述方法包括：

将多个电阻型存储器单元的位线耦接到电流驱动器，并且将存储器单元的源极线耦接到公共平面电压（VCP）焊盘或外部管脚；

当电流驱动器将位线拉到地电压电平时，保持VCP焊盘或外部管脚为测试写电压电平达一与测试写脉冲宽度关联的时间段；

并行驱动第一写测试电流以第一方向流经存储器单元，以便将第一数据写入存储器单元；

当电流驱动器将位线拉到测试写电压电平时，保持VCP焊盘或外部管脚为地电压电平达测试写脉冲宽度或时间；和

并行驱动第二写测试电流以第二方向流经存储器单元，以便将第二数据写入存储器单元，所述第二方向与第一方向相反，所述第二数据与第一数据相反。

2.如权利要求1所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中，所述多个存储器单元基本上是包括至少1024个存储器单元的存储器设备或者存储器块的全部存储器单元。

3.如权利要求1所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，还包括：

禁用一个或多个内部模拟电压生成器。

4.如权利要求1所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中：

第一和第二写测试电流是正常写电流的X%，其中X小于100；

第一和第二写脉冲宽度或时间短于正常写脉冲宽度或时间；和

所述方法还包括将测试环境温度降低在正常操作温度范围以下。

5.如权利要求1所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，还包括：

在将第一数据并行写入存储器单元之后，从每个存储器单元读取第一数据；

检验第一数据的准确度；

在将第二数据并行写入存储器单元之后，从每个存储器单元读取第二数据；和

检验第二数据的准确度。

6.如权利要求1所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，还包括：

将存储器单元初始化为第一数据或者第二数据。

7.如权利要求6所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中，初始化存储器单元包括：

并行驱动初始化电流流经存储器单元。

8.如权利要求7所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，还包括：通过并行驱动读干扰测试电流流经存储器单元，筛选存储器单元中的读错误。

9.如权利要求8所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中，筛选读错误还包括：

并行驱动读干扰测试电流以第一或第二方向流经存储器单元；

在并行驱动读干扰测试电流流经存储器单元之后，使用正常读电流从每个存储器单元读取第一或第二数据；和

在读压缩模式中检验第一或第二数据的准确度。

10.如权利要求9所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中：

读干扰电流是正常读电流的X%，其中X大于100；和

所述方法还包括将测试环境温度增加在正常操作温度范围以上。

11.如权利要求9所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中，驱动读干扰测试电流还包括：

当电流驱动器将位线拉到地电压电平时，保持VCP焊盘或外部管脚为测试读电压电平达一与测试读脉冲宽度关联的时间段，其中所述测试读脉冲宽度或时间长于正常读脉冲宽度或时间。

12.如权利要求9所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中，驱动读干扰测试电流还包括：

当电流驱动器将位线拉到测试读电压电平时，保持VCP焊盘或外部管脚为地电压电平达一测试读脉冲宽度或时间，其中所述测试读脉冲宽度或时间长于正常读脉冲宽度或时间。

13.如权利要求1所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，还包括：声明快速错误应力测试信号以便将多个存储器单元的每条位线耦接到电流驱动器。

14.如权利要求1所述的用于大批量并行测试电阻型存储器的方法，其中，所述电阻型存储器单元包括以下中的至少一个：自旋转移力矩（STT）磁阻随机存取存储器（MRAM）单元、MRAM单元、相变RAM单元、忆阻器RAM单元、ReRAM单元或CBRAM单元。