[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

通孔，形成为穿透半导体衬底；

第一缓冲器电路和第二缓冲器电路；

布线形成层，形成在所述半导体衬底的上层中；

连接布线部分，假设从所述半导体衬底到所述布线形成层的方向为向上方向，则所述连接布线部分形成在所述通孔的上部，所述连接布线部分形成在所述通孔的芯片内端面上，所述芯片内端面为所述通孔的面对所述半导体衬底的上部部分的端面；

第一路径，连接所述第一缓冲器电路和所述通孔；以及

第二路径，连接所述第二缓冲器电路和所述通孔，

其中所述第一路径和所述第二路径经由所述连接布线部分电连接，以及

其中所述第一缓冲器电路和所述第二缓冲器电路中的一个使得电流通过所述连接布线部分而流到另一缓冲器电路。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接布线部分是形成有如下面积的布线区域，该面积等于或小于所述通孔的所述芯片内端面的面积。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述连接布线部分对应于所述芯片内端面，

所述第一路径的一端连接到所述通孔的所述芯片内端面，以及

所述第二路径的一端连接到所述通孔的所述芯片内端面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一路径和所述第二路径中的每一个包括：

过孔连接线，连接到所述通孔；以及

至少一个上层线，在除了所述芯片内端面的上部之外的区域中通过过孔连接到所述过孔连接线。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一路径和所述第二路径中的每一个包括：

过孔连接线，连接到所述通孔；以及

至少一个上层线，在所述芯片内端面的上部通过过孔连接到所述过孔连接线。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述连接布线部分包括过孔连接线，所述过孔连接线形成为在所述通孔的所述芯片内端面的上部与所述芯片内端面相接触，以及

所述第一路径和所述第二路径中的每一个包括至少一个上层线，所述至少一个上层线在除了所述芯片内端面的上部之外的区域中通过过孔连接到所述过孔连接线。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述连接布线部分包括过孔连接线，所述过孔连接线形成为在所述通孔的所述芯片内端面的上部与所述芯片内端面相接触，以及

所述第一路径和所述第二路径中的每一个包括至少一个上层线，所述至少一个上层线在所述芯片内端面的上部通过过孔连接到所述过孔连接线。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述连接布线部分包括过孔连接线和至少一个第一上层线，所述过孔连接线形成为在所述通孔的所述芯片内端面的上部与所述芯片内端面相接触，所述至少一个第一上层线通过过孔连接到所述过孔连接线，以及

所述第一路径和所述第二路径中的每一个包括第二上层线，所述第二上层线通过所述过孔连接到所述第一上层线。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述连接布线部分包括过孔连接线，所述过孔连接线形成为在所述通孔的所述芯片内端面的上部与所述芯片内端面相接触，以及

所述第一路径和所述第二路径中的每一个包括至少一个上层线，所述至少一个上层线在除了所述芯片内端面的上部之外的区域中通过过孔连接到所述过孔连接线。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述连接布线部分包括过孔连接线，所述过孔连接线形成为在所述通孔的芯片内端面的上部与所述芯片内端面相接触，以及

所述第一路径和所述第二路径中的每一个包括形成在与所述过孔连接线相同层中的最低层线。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述连接布线部分包括过孔连接线，所述过孔连接线形成为在所述通孔的所述芯片内端面的上部与所述芯片内端面相接触，

所述第一路径包括通过过孔连接到所述过孔连接线的至少一个上层线，以及

所述第二路径包括形成在与所述过孔连接线相同层中的最低层线。