[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的静态随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种静态随机存取存储(SRAM)单元，包括：

第一长边界和第二长边界，与第一方向平行；

第一短边界和第二短边界，与第二方向平行，所述第二方向与所述第一方向垂直，其中，所述第一长边界和所述第二长边界比所述第一短边界和所述第二短边界长并且与所述第一短边界和所述第二短边界形成矩形；

CVss线，穿越所述第一长边界和所述第二长边界传送VSS电源电压，所述CVss线与所述第二方向平行；以及

位线和位线条，位于所述CVss线的相对侧，所述位线和所述位线条被配置成传送互补位线信号；

与所述第一方向平行的字线；

与所述第一方向平行并位于所述字线的相对侧的第一CVdd线和第二CVdd线，所述第一CVdd线和所述第二CVdd线被配置成传送正电源电压。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其中，所述CVss线比所述位线和所述位线条宽。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其中，所述第一长边界的长度与所述第一短边界的长度的比率大于2。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，还包括：

p阱区，位于所述静态随机存取存储单元的中心区处，其中，所述CVss线与所述p阱区重叠；以及

第一n阱区和第二n阱区，位于所述p阱区的相对侧。

5.根据权利要求4所述的静态随机存取存储单元，还包括：

第一上拉鳍式场效应晶体管FinFET和第二上拉FinFET，分别形成在所述第一n阱区和所述第二n阱区上；

第一下拉FinFET和第二下拉FinFET，形成在所述p阱区上；以及

第一传输门FinFET和第二传输门FinFET，形成在所述第一n阱区和所述第二n阱区上。

6.一种静态随机存取存储(SRAM)单元，包括：

p阱区；

第一n阱区和第二n阱区，位于所述p阱区的相对侧；

CVss线，传送VSS电源电压且位于所述p阱区的上方，所述CVss线与所述p阱区和所述第一n阱区之间的界面平行；

第一上拉鳍式场效应晶体管FinFET和第二上拉FinFET，分别位于所述第一n阱区和所述第二n阱区中；

第一下拉FinFET和第二下拉FinFET，位于所述p阱区中；以及

第一传输门FinFET和第二传输门FinFET，分别位于所述第一n阱区和所述第二n阱区中；

与所述界面垂直的字线；

与所述界面垂直并位于所述字线的相对侧的第一CVdd线和第二CVdd线，所述第一CVdd线和所述第二CVdd线被配置成传送正电源电压。

7.根据权利要求6所述的静态随机存取存储单元，还包括：位于所述CVss线的相对侧的位线和位线条，其中，所述位线和所述位线条被配置成传送互补位线信号。

8.根据权利要求6所述的静态随机存取存储单元，还包括：长边界和短边界，所述短边界比所述长边界短，所述CVss线与所述短边界平行。

9.根据权利要求8所述的静态随机存取存储单元，其中，所述长边界的长度与所述短边界的长度的比率大于2。

10.根据权利要求6所述的静态随机存取存储单元，还包括：

第三上拉FinFET，包括与所述第一上拉FinFET和所述第一下拉FinFET的栅极连接的栅极；

第三传输门FinFET，与所述第三上拉FinFET串联；以及

读字线，与所述第三传输门FinFET的栅极连接。

11.根据权利要求6所述的静态随机存取存储单元，还包括：第三传输门FinFET和第四传输门FinFET，其中，所述第一传输门FinFET和所述第二传输门FinFET形成所述静态随机存取存储单元的第一端口的一部分，并且所述第三传输门FinFET和所述第四传输门FinFET形成所述静态随机存取存储单元的第二端口的一部分。