[发明专利]一种简化的电容式触摸屏制作方法

权利要求书

1.一种简化的电容式触摸屏制作方法，其特征在于，包括有以下步骤：

（1）首玻璃基板进行清洗，去除玻璃基板表面的尘粒、污迹和指纹等；

（2）利用真空磁控溅射的方式在玻璃基板两面分别制作第一面ITO薄膜层和第二面ITO薄膜层，形成双面ITO玻璃；

具体工艺参数：

镀膜真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~300℃，ITO薄膜层的厚度10nm~20nm；

（3）对第一面ITO薄膜层进行涂胶、曝光、显影、坚膜工艺；然后对第二面ITO薄膜层进行涂胶、曝光、显影、坚膜工艺；

具体工艺参数：

涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1600~2000nm，均匀性5%以内，预烘温度：80~90℃；

对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：100~120mj，ITO电极图案的光罩是铬版，距离基板的尺寸100um~200um；

对光刻胶显影并硬化，采用NaOH，浓度0.1~0.08MOL/L，温度：20~35℃，时间50秒~120秒，硬化温度：100~120℃，时间30~35分钟；

（4）同时对ITO玻璃的两面进行蚀刻和去膜，采用ITO线路作为ITO电极的引线，形成触摸屏；

具体工艺参数：

蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料：HCL60%~65%+HO2 40%~35%，温度：40~45℃，时间：120~220秒；

在制作ITO图案电极的同时形成ITO引线，作为第一面ITO电极连接FPC的第一组外接导线和第二面ITO电极连接FPC的第二组外接导线；

去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料：NaOH，浓度2.0~1.5MOL/L，温度：30~35℃，时间100秒~120秒，最后用纯水漂洗。