[发明专利]一种简化的电容式触摸屏制作方法

说明书

技术领域

 本发明涉及触摸屏领域，具体涉及一种简化的电容式触摸屏制作方法。

背景技术

目前，触摸屏面板作为一种智能的输入设备，具有友好、人性化的互动操作界面，因此越来越广泛地被应用到各种便携式设备上，如手机、笔记本、PDA等，触摸屏基于触摸原理一般可分为电阻式、电容式、红外线式、表声波式等，电容式触摸屏由于具有反应灵敏、多点触摸、寿命长的特点，并且随着电容式触控IC技术的不断成熟、成本的降低，到目前已经成为智能手机、平板电脑等领域的主流触摸屏技术。

如图1所示，电容式触摸屏一般包括玻璃基板11、感测电极层12、13和引线电极14：感测电极层12、13制作在玻璃基板11之上，包括多个沿第一方向延伸的第一感测电极12和多个沿第二方向延伸的第二感测电极13，第一感测电极12和第二感测电极13相互交叉形成感应节点阵列；各个第一感测电极相互之间电性不相连，各个第二感测电极之间互相电性不相连，第一感测电极12和第二感测电极13之间互相电性不相连。第一感测电极12和第二感测电极13一般是由氧化铟锡（ITO）膜经过图形化形成。引线电极14可以为光刻金属引线，也可以为丝印银浆引线。当使用者用手指接触盖板保护玻璃时，接触点处的第一感测电极12和第二感测电极13之间的互电容发生变化，通过检查电路检测，即可判断触摸的发生以及触摸点的坐标。

图2表示一种传统的电容式触摸屏的制作方法，为双面ITO感测电极和双面银浆引线结构电容式触摸屏工艺流程，具体流程为：清洗→溅射ITO1→清洗→涂胶→曝光→显影→坚膜→蚀刻→去膜→检验→清洗→溅射ITO2→清洗→涂胶→曝光→显影→坚膜→蚀刻→去膜→检验→清洗-→ITO1丝印银浆→固化→清洗→ITO2面丝印银浆→固化→检验，共包括26个步骤。

上述电容式触摸屏工艺涉及的设备包括数条磁控溅射设备、数条清洗、涂胶、曝光、显影、蚀刻、去膜设备和数台丝网印刷设备，设备投资成本非常高，并且涉及的工艺复杂，产品良率很难提高，产品成本很难大幅度降低。

 

发明内容

本发明的目的就是针对现有的电容式触摸屏生产工艺设备投入高、工艺复杂、成本过高的问题，提出一种简化的电容式触摸屏制作方法。

为解决上述的技术问题，本发明提供的技术方案是：

一种简化的电容式触摸屏制作方法，其特征在于，包括有以下步骤：

（1）首玻璃基板进行清洗，去除玻璃基板表面的尘粒、污迹和指纹等；

（2）利用真空磁控溅射的方式在玻璃基板两面分别制作第一面ITO薄膜层和第二面ITO薄膜层，形成双面ITO玻璃；

具体工艺参数：

镀膜真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~300℃，ITO薄膜层的厚度10nm~20nm；

（3）对第一面ITO薄膜层进行涂胶、曝光、显影、坚膜工艺；然后对第二面ITO薄膜层进行涂胶、曝光、显影、坚膜工艺；

具体工艺参数：

涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1600~2000nm，均匀性5%以内，预烘温度：80~90℃；

对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：100~120mj，ITO电极图案的光罩是铬版，距离基板的尺寸100um~200um；

对光刻胶显影并硬化，采用NaOH，浓度0.1~0.08MOL/L，温度：20~35℃，时间50秒~120秒，硬化温度：100~120℃，时间30~35分钟；

（4）同时对ITO玻璃的两面进行蚀刻和去膜，采用ITO线路作为ITO电极的引线，形成触摸屏；

具体工艺参数：

蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料：HCL60%~65%+HO2 40%~35%，温度：40~45℃，时间：120~220秒；

在制作ITO图案电极的同时形成ITO引线，作为第一面ITO电极连接FPC的第一组外接导线和第二面ITO电极连接FPC的第二组外接导线；

去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料：NaOH，浓度2.0~1.5MOL/L，温度：30~35℃，时间100秒~120秒，最后用纯水漂洗。

本发明的优点是：

与现有的技术相比，本发明电容式触摸屏的制作方法可以大大简化生产工艺、减少设备投资、降低产品成本，并且有利于提高生产良品率，具体而言：

1、相对于现有的电容式触摸屏制作方法减少了近40%，大大简化了生产工艺。