[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极、以及漏极；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述源极和所述漏极分别设置在所述有源层两侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极设置于所述衬底基板与所述有源层之间，所述漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层设置于所述漏极与所述有源层之间，所述漏极通过设置于所述栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层接触；

所述栅极与所述漏极同层设置，且所述栅极与所述漏极不连接。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极设置于所述衬底基板与所述有源层之间，所述源极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层设置于所述源极与所述有源层之间，所述源极通过设置于所述栅绝缘层上的所述第一过孔与所述有源层接触；

所述栅极与所述源极同层设置，且所述栅极与所述源极不连接。

6.根据权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括位于中间的非晶硅半导体层、以及位于所述非晶硅半导体两侧的欧姆接触层。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括保护层与像素电极；

所述薄膜晶体管的源极设置于衬底基板与有源层之间、栅绝缘层设置于漏极与所述有源层之间，所述漏极通过所述栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层接触，栅极与所述漏极同层设置，所述栅极和所述漏极上设置所述保护层，所述像素电极通过设置在所述保护层上的第二过孔与所述漏极连接；或者

所述薄膜晶体管的漏极设置于所述衬底基板与所述有源层之间、所述栅绝缘层设置于所述源极与所述有源层之间，所述源极通过所述栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层接触，所述栅极与所述源极同层设置，所述栅极与所述源极上设置所述保护层，所述像素电极通过设置在所述保护层上的所述第二过孔和所述栅绝缘层上的第三过孔与所述漏极连接。

9.根据权利要求7或8所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极。

10.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、以及漏极；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述源极和所述漏极分别形成在所述有源层的两侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层接触。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述源极和所述漏极分别形成在所述有源层的两侧包括：

所述源极形成在所述衬底基板与所述有源层之间，所述漏极形成在所述有源层远离所述衬底基板的一侧；或者

所述漏极形成在所述衬底基板与所述有源层之间，所述源极形成在所述有源层远离所述衬底基板的一侧。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述漏极形成在所述有源层远离所述衬底基板的一侧包括：所述栅绝缘层形成在所述漏极与所述有源层之间，所述漏极通过形成在所述栅绝缘层上的过孔与所述有源层接触；

所述栅极与所述漏极同层形成，且所述栅极与所述漏极不连接。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述源极形成在所述有源层远离所述衬底基板的一侧包括：所述栅绝缘层形成在所述源极与所述有源层之间，所述源极通过形成在所述栅绝缘层上的过孔与所述有源层接触；

所述栅极与所述源极同层形成，且所述栅极与所述源极不连接。