[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的显示器市场中占据主导地位。

TFT阵列基板是液晶显示器的重要部件之一，其剖面结构如图1所示，主要包括基板10、设置在基板10上的栅极20、栅绝缘层30、有源层40、包括源极501和漏极502的源漏金属层、以及保护层60和像素电极层70。

TFT的开态电流为Ion=μeff(ϵinsϵ0/tins)WL(Vgs-Vth)Vds;]]>其中，μ_eff为等效载流子迁移率，t_ins为栅绝缘层厚度，为单位面积栅绝缘层的电容值，W为沟道宽度，L为沟道长度，V_gs为栅极-源极电压，V_ds为漏极-源极电压，V_th为阀值电压。显然，由上述公式可知，沟道长度L越小，TFT的开态电流越大。这里沟道长度L即为源极和漏极的距离，例如图1中双箭头所示。

然而，在TFT阵列基板的制备过程中，由于现有工艺的限制，TFT的沟道长度一般最小能做到3～4um，导致TFT的开态电流不能太大。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，可减小薄膜晶体管的沟道长度，从而增大开态电流，进而提高薄膜晶体管的特性。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极、以及漏极；其中，沿垂直所述衬底基板的方向，所述源极和所述漏极分别设置于所述有源层的两侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层接触。

可选的，所述源极设置于所述衬底基板与所述有源层之间，所述漏极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧。

进一步优选的，所述栅绝缘层设置于所述漏极与所述有源层之间的，所述漏极通过设置于所述栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层接触；所述栅极与所述漏极同层设置，且所述栅极与所述漏极不连接。

可选的，所述漏极设置于所述衬底基板与所述有源层之间，所述源极设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧。

进一步优选的，所述栅绝缘层设置于所述源极与所述有源层之间，所述源极通过设置于所述栅绝缘层上的所述第一过孔与所述有源层接触；所述栅极与所述源极同层设置，且所述栅极与所述源极不连接。

可选的，所述有源层包括位于中间的非晶硅半导体层、以及位于所述非晶硅半导体两侧的欧姆接触层。

另一方面，提供了一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。

可选的，所述阵列基板还包括保护层与像素电极；

所述薄膜晶体管的源极设置于衬底基板与有源层之间、栅绝缘层设置于漏极与所述有源层之间，所述漏极通过所述栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层接触，栅极与所述漏极同层设置，所述栅极和所述漏极上设置所述保护层，所述像素电极通过设置在所述保护层上的第二过孔与所述漏极连接；或者