[发明专利]多晶硅的包装有效

专利信息
申请号: 201310175233.0 申请日: 2013-04-15
公开(公告)号: CN103373539A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: J·马特斯;B·利希滕埃格;M·菲茨 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: B65D81/03 分类号: B65D81/03
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 于辉
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 多晶 包装
【说明书】:

发明涉及多晶硅的包装。

多晶硅(polycrystalline silicon,或者polysilicon)主要是通过西门子工艺(the Siemens process)从卤代硅烷(如三氯硅烷)沉积,然后以最小的污染粉碎成多晶硅碎片。

具有最小污染的多晶硅块(chunk polysilicon)用于半导体和太阳能产业是理想的。因此,在运输到用户之前,该材料也应以低污染包装。

原则上适用于包装硅块的管式包装机是可商购的。例如,在DE36 40 520 A1中描述了相应的包装机。

多晶硅块是有锋利边缘的非自由流动的大块材料(bulk material)。因此有必要确保在包装过程中材料不会刺穿,或者在最坏的情况下,在填充过程和在包装过程中,在运输过程和拆包过程中,甚至完全破坏通常的塑料袋,特别地由于这将与多晶硅的污染有关。

为了避免在填充进塑料袋的过程中的问题,市售包装机必须为了包装多晶硅作出适当调整。

DE10 2007 027 110 A1公开了一种包装多晶硅的方法,其中通过填充装置将多晶硅填充进自由悬浮的,完全成形的袋中,然后包封(enclose)填充袋,其中,该袋由具有10-1000微米的壁厚的高纯度塑料组成,该填充装置包括由非金属低污染材料制成的自由悬浮的能量吸收器,在向能量吸收器中填充多晶硅之前将其引入塑料袋,并且通过能量吸收器多晶硅被填充入塑料袋,自由悬浮的能量吸收器然后从填充有多晶硅的塑料袋中移除,并且将塑料袋包封。

这种方法,其设想在塑料袋内的能量吸收器基本上可以防止在包装操作过程中刺穿塑料袋。然而,这仅仅适用于小的或重量轻的碎片。

已经发现袋子损坏的风险与碎片质量成比例地增加。

使用更厚的袋膜原则上可能减少刺穿比例的方法,未被发现是非常可行的,尤其是由于这种柔性较小的膜很难处理。

但是,不仅在包装过程中,而且在运输给用户的过程中,会发生袋子的这种刺穿。多晶硅块是有锋利边缘的,所以,如果袋内碎片的取向不适宜,碎片相对于袋膜相对运动,或碎片上施加有压力,会造成它们切断或刺穿袋膜。

从包装袋突出的碎片会被周围的材料直接污染,这是不期望的,并且包装袋内的碎片会被进入包装袋的周围空气污染。

在这方面,现有技术中没有已知的解决方案。

这些问题引发了本发明的目的。

本发明的目的通过一种多晶硅来实现,所述多晶硅的形式为一个或多个碎片或一个或多个圆棒,所述多晶硅被至少一个厚度为10-1000微米的包封多晶硅的膜包围,所述至少一个膜被具有增强结构的另外的膜或成形元件包围。

本发明的目的另外通过上述多晶硅的包装来实现,所述包装通过焊接至少一个所述膜,然后将其置于包含分隔元件或纸板箱的运输容器中来实现。

根据权利要求1或2的多晶硅的包装,该目的也通过多晶硅的包装来实现,所述包装通过将多晶硅置于纸板箱内,其后焊接至少一个所述膜来实现。

最后,该目的也通过一种包装碎片或圆棒形式的多晶硅的方法来实现,其中,在每种情况下将至少一个膜插入到立方形纸板箱内,所述纸板箱与待包装的多晶硅的尺寸相匹配,将所述多晶硅置于所述至少一个膜中,然后焊接厚度为10到1000微米的所述至少一个膜并包封所述多晶硅,并且用具有增强结构的另外的膜或用成形元件包围所述至少一个膜。

本发明进一步提供了的用途,其用于稳定碎片或圆棒形式的多晶硅的包装,所述多晶硅被至少一个厚度为10-1000微米的包封多晶硅的膜包围,并且提供拉伸膜或包装膜或收缩膜的用途,其用于稳定碎片或圆棒形式的多晶硅的包装,所述多晶硅被至少一个厚度为10-1000微米的包封多晶硅的膜包围,以及楔形元件或半壳元件的用途,其用于稳定多晶硅的包装,其中,所述多晶硅位于至少一个膜中,并且容纳多晶硅的所述至少一个膜位于纸板箱内,所述楔形元件紧靠在所述纸板箱的上侧和/或紧靠在所述纸板箱的侧壁,并且紧靠容纳多晶硅的所述至少一个膜。

本发明基于抗刺穿和抗切穿的包装,其通过具有增强结构的另外引入的稳定包来实现,其使碎片永久地固定在适当的位置。

包装袋理想地被直接填充在将其包围的纸板箱容器内,因此不仅实现了纸板箱壁的保护效果而且也实现了高包装密度。

通常,硅碎片包装在薄壁(膜厚度30-500微米)的柔性的单个或多个袋子中。优先考虑使用双袋。

本发明涉及多晶硅,其形式为一个或多个碎片或一个或多个圆棒,所述多晶硅被至少一个厚度为10-1000微米的包封多晶硅的膜包围,所述至少一个膜被具有增强结构的另外的膜包围。

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