[发明专利]LPCVD系统排风结构有效
申请号: | 201310175663.2 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103215564A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 丁波;陈瀚;侯金松;程国军 | 申请(专利权)人: | 上海微世半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 张坚 |
地址: | 201501 上海市金山*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | lpcvd 系统 结构 | ||
1.一种LPCVD系统排风结构,其特征在于,包括尾气管道、杯形体以及排风管道,所述尾气管道的侧面设有气体入口,且所述尾气管道的一端设有氮气输入接头,所述杯形体的底部可拆卸的套设于所述尾气管道的另一端,所述排风管道的一端插设于所述杯形体的杯腔内,所述排风管道与所述杯形体的内壁以及底部均具有间隙,且所述排风管道经所述杯腔与所述尾气管道连通。
2.根据权利要求1所述的一种LPCVD系统排风结构,其特征在于,还包括用于将所述尾气管道固定至相应机架的连接件,所述连接件套设于所述尾气管道外。
3.根据权利要求1或2所述的一种LPCVD系统排风结构,其特征在于,所述气体入口为多个。
4.所述根据权利要求3所述的一种LPCVD系统排风结构,其特征在于,所述气体入口设有法兰接头。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的