[发明专利]LPCVD系统排风结构

说明书

技术领域

本发明属于LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积）系统领域，尤其涉及一种LPCVD系统排风结构。

背景技术

目前市场上的高压半导体分立器件均通过LPCVD系统在晶片表面形成一层表面钝化薄膜来进行保护。

LPCVD系统在运行过程中使用的气体，在其反应室内不可能完全反应，排风管道在将剩余气体排出的时候会进行二次的反应，而反应后的粉尘会沉淀在排风管道上，使排风管道口越来越小，最后导致堵塞，此时，气体因不能及时排出，就会有爆炸的可能，危险性极大的。

发明内容

基于此，针对上述技术问题，提供一种LPCVD系统排风结构。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种LPCVD系统排风结构，包括尾气管道、杯形体以及排风管道，所述尾气管道的侧面设有气体入口，且所述尾气管道的一端设有氮气输入接头，所述杯形体的底部可拆卸的套设于所述尾气管道的另一端，所述排风管道的一端插设于所述杯形体的杯腔内，所述排风管道与所述杯形体的内壁以及底部均具有间隙，且所述排风管道经所述杯腔与所述尾气管道连通。

本方案还包括用于将所述尾气管道固定至相应机架的连接件，所述连接件套设于所述尾气管道外。

所述气体入口为多个。

所述气体入口设有法兰接头。

本发明结构简单、制造方便，在LPCVD系统反应室内未完全反应的剩余气体可由氮气稀释后，在燃烧室内与空气进行二次反应，二次反应生成的粉尘沉淀留在燃烧室内，而构成燃烧室的杯形体可拆卸后进行清理，既保证了排风管道不被堵塞，同时也避免了剩余气体积累而导致自爆，安全性高。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式本发明进行详细说明：

图1为本发明的结构示意图。

图2为本发明的杯形体的剖视图。

具体实施方式

如图1以及图2所示，一种LPCVD系统排风结构，包括尾气管道110、杯形体120以及排风管道130。

尾气管道110的侧面设有气体入口111，尾气管道110的一端设有氮气输入接头112。

可以理解的是，尾气管道110可以由多个管体相互嵌套构成。

LPCVD系统的气体反应室2经真空泵3与气体入口111连接。

其中，气体入口111可以为多个，可满足LPCVD系统中具有多个反应室需求。

气体入口111可以设置法兰接头，便于气体入口111与真空泵3的连接，当然，两者也可以通过其他连接方式。

杯形体120的底部可拆卸的套设于尾气管道110的另一端，该杯形体120的杯腔与尾气管道110连通。

可以理解的是，尾气管道110的另一端也可以探入于杯形体120的杯腔内。

排风管道130的一端插设于杯形体120的杯腔内，排风管道130与杯形体120的内壁以及底部均具有间隙，且排风管道130经杯形体120的杯腔与尾气管道110连通，而排风管道130内腔与杯形体120杯腔的公共部分就构成了供LPCVD系统反应室剩余气体燃烧的燃烧室140。

当尾气管道110的另一端探入于杯形体120的杯腔内时，排风管道130的内壁与尾气管道110的外壁之间同样具有间隙。

在反应室2内未完全反应的剩余气体经过抽真空的方式排放至尾气管道110。向尾气管道110底部的氮气输入接头112通入氮气，氮气可对上述剩余气体进行稀释，剩余气体稀释后由排风抽取至燃烧室140。

由于排风管道130与杯形体120的内壁以及底部均具有间隙，排风在抽取剩余气体的同时也将空气一同抽入燃烧室140中，这样，剩余气体与空气就在燃烧室140内进行二次反应。

二次反应生成的粉尘沉淀留在燃烧室140内，而杯形体120是方便拆卸下来进行清理的，这样既保证了排风管道130不被堵塞，同时也避免剩余气体积累而导致自爆。

为了将尾气管道110固定至LPCVD系统的相应机架上，还可设置连接件150，连接件150套设于尾气管道130外。

但是，本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。