[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底中限定了单元区和接触区；

焊盘结构，所述焊盘结构包括彼此交替地形成在所述衬底的所述接触区中的多个第一导电层和多个第一绝缘层；

其中，所述焊盘结构的端部被图案化为台阶状，

所述第一导电层的在所述焊盘结构的端部暴露出的部分被定义为多个焊盘部分，并且所述多个焊盘部分具有比所述多个第一导电层的未暴露的部分大的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一导电层形成在所述焊盘结构的侧部区域中。

3.如权利要求2所述的半导体器件，还包括多个牺牲层，所述多个牺牲层与所述多个第一导电层耦接且形成在所述焊盘结构的中心区域。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述焊盘部分具有比所述多个牺牲层更大的厚度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊盘结构的每个台阶包括所述第一导电层中的一个和所述第一绝缘层中的一个，每个第一绝缘层形成在每个第一导电层之上。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊盘结构的每个台阶包括所述第一导电层中的一个和所述第一绝缘层中的一个，每个第一绝缘层形成在每个第一导电层之下。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述多个焊盘部分的侧壁上的多个阻挡层。

8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述焊盘结构的整个表面上的缓冲层。

9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述焊盘结构的整个表面上的阻挡层。

10.如权利要求1所述的半导体器件，还包括多个接触插塞，其中所述多个接触插塞中的每个接触插塞与所述焊盘部分中的每个焊盘部分耦接。

11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

单元结构，所述单元结构与所述焊盘结构耦接且包括彼此交替地形成在衬底的单元区中的多个第二导电层和多个第二绝缘层；以及

穿通所述单元结构的多个沟道层。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述多个沟道层形成为U形或者以垂直形状方式形成。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中，形成在相同水平面的第一导电层和第二导电层相互耦接，且形成在相同水平面的第一绝缘层和第二绝缘层相互耦接。

14.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个层叠结构，所述多个层叠结构包括相互交替地形成在所述衬底上的多个导电层和多个绝缘层，其中所述多个层叠结构的每个端部被图案化成台阶状；以及

将所述多个层叠结构相互分隔开的至少一个缝隙；

其中所述多个导电层的在所述多个层叠结构的每个端部暴露出的部分被定义为多个焊盘部分，而所述多个焊盘部分具有比所述多个导电层的未暴露部分更大的厚度。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中，所述多个导电层形成在所述层叠结构的侧部区域中。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述层叠结构每个包括多个牺牲层，所述多个牺牲层耦接到所述多个导电层且形成在所述层叠结构的中心区域中。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述焊盘部分具有比所述多个牺牲层大的厚度。

18.如权利要求14所述的半导体器件，还包括形成在所述多个焊盘部分的侧壁上的多个阻挡层。

19.如权利要求14所述的半导体器件，还包括形成在所述层叠结构的整个表面上的缓冲层。

20.如权利要求14所述的半导体器件，还包括形成在所述层叠结构的整个表面上的阻挡层。