[发明专利]三维集成电路(3DIC)堆叠的载体翘曲控制有效
申请号: | 201310177995.4 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103632987B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 林俊成;林士庭;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维集成电路 dic 堆叠 载体 控制 | ||
1.一种形成封装堆叠(PoP)器件的方法,包括:
在载体上临时安装衬底,其中,压力退火使所述衬底偏向所述载体以确保所述衬底牢固地安装在所述载体上;
在所述衬底上堆叠第一管芯,所述第一管芯或者所述第一管芯和所述衬底具有与所述载体失配的热膨胀系数,使第二管芯相对于所述第一管芯产生水平偏移,以向所述第二管芯提供垂悬部分,所述第一管芯包括硅通孔TSV;以及
在所述第一管芯上堆叠所述第二管芯,所述第一管芯的硅通孔TSV与所述第二管芯的铝焊盘电连接,其中,所述第一管芯大于所述第二管芯。
2.根据权利要求1所述的形成封装堆叠器件的方法,其中,所述衬底由有机衬底、陶瓷衬底、硅衬底、玻璃衬底、和层压衬底中的一个形成。
3.根据权利要求1所述的形成封装堆叠器件的方法,其中,所述衬底由环氧树脂和自然树脂中的一种形成。
4.根据权利要求1所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:使用粘结剂在所述载体上临时安装所述衬底。
5.根据权利要求1所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:在堆叠所述第一管芯和所述第二管芯之前,使用压力退火盖在所述衬底上进行所述压力退火。
6.根据权利要求1所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:仅在所述第一管芯和所述衬底之间使底层填料流动。
7.根据权利要求1所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:仅在所述第一管芯和所述第二管芯之间使底层填料流动。
8.根据权利要求2所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:在所述有机衬底、所述第一管芯、和所述第二管芯的露出部分的上方形成模塑材料。
9.根据权利要求2所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:在所述有机衬底、所述第一管芯、和所述第二管芯的露出部分上保持不存在模塑材料。
10.根据权利要求9所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:研磨掉所述模塑材料的一部分。
11.根据权利要求1所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:在所述第一管芯上堆叠所述第二管芯之后,去除所述载体。
12.一种形成封装堆叠(PoP)器件的方法,包括:
在载体上临时安装衬底,其中,压力退火使所述衬底偏向所述载体以确保所述衬底牢固地安装在所述载体上;
在所述衬底上堆叠多个管芯,所述多个管芯或者所述多个管芯和所述衬底具有与所述载体失配的热膨胀系数,当堆叠所述管芯时,使所述管芯中的一个相对于所述管芯中的另一个产生水平偏移,所述多个管芯中的第一管芯包括硅通孔TSV;以及
在堆叠所述多个管芯之后,去除所述载体;
其中,第一管芯的硅通孔TSV与所述第一管芯上方的第二管芯的铝焊盘电连接,其中,所述第一管芯大于所述第二管芯。
13.根据权利要求12所述的形成封装堆叠器件的方法,其中,所述衬底由有机衬底、陶瓷衬底、硅衬底、玻璃衬底、和层压衬底中的一个形成。
14.根据权利要求12所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:在堆叠所述管芯之后,仅在所述衬底和所述管芯中最靠近所述衬底的第一个之间使底层填料流动。
15.根据权利要求12所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:在堆叠所述管芯之后,仅在所述管芯之间使底层填料流动。
16.根据权利要求13所述的形成封装堆叠器件的方法,进一步包括:在所述有机衬底的露出部分的上方和所述管芯的上方形成模塑材料。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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