[发明专利]一种IV型埃替拉韦晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种IV型埃替拉韦晶体，其特征在于：所述晶体的X-射线粉末衍射谱图在如下2θ：9.98°、11.68°、17.05°、18.98°、23.12°、23.57°下具有特征衍射峰，测试误差为±0.2°。

2.如权利要求1所述的IV型埃替拉韦晶体，其特征在于：所述晶体的X-射线粉末衍射谱图在如下2θ：8.52°、9.98°、10.53°、11.68°、12.76°、13.93°、14.58°、15.98°、17.05°、16.76°、18.98°、20.15°、21.28°、23.12°、23.57°、24.65°、25.84°、28.42°、34.68°、36.57°下具有主衍射峰，测试误差为±0.2°。

3.如权利要求1所述的IV型埃替拉韦晶体，其特征在于：所述晶体在30～200℃范围内的差热-热重分析中的失重率为8.5%～9.5%。

4.一种制备权利要求1至3中任一项所述的IV型埃替拉韦晶体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)在20～60℃，使无定型埃替拉韦溶解于适量的无水乙醇中；

b)在10～20℃搅拌使析晶；

c)过滤，干燥。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤a)使1g无定型埃替拉韦溶解于1～9mL的无水乙醇中。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤c)中的干燥为真空干燥、热风干燥或流化床干燥。

7.一种制备权利要求1至3中任一项所述的IV型埃替拉韦晶体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在20～60℃，使无定型埃替拉韦溶解于适量的无水乙醇中；

2)滴加反溶剂：正己烷、正庚烷、乙醚、异丙醚、甲基叔丁基醚中的至少一种；

3)滴毕，降温到0～10℃，搅拌使析晶；

4)过滤，干燥。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤1)使1g无定型埃替拉韦溶解于1～9mL的无水乙醇中。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤2)中滴加的反溶剂体积与无水乙醇的体积比为1:1。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤4)中的干燥为真空干燥、热风干燥或流化床干燥。