[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201310178656.8 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN103227150A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 周政伟;胡晋玮 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种制作显示面板的方法,包括:
提供一基板,该基板具有一画素区以及一第一薄膜晶体管区;
于该基板上形成一图案化半导体层,该图案化半导体层包括一第一第一半导体图案,设置于该第一薄膜晶体管区内;
于该基板上形成一绝缘层,其中该绝缘层覆盖该图案化半导体层;
于该绝缘层上形成一第一图案化导电层,该第一图案化导电层包括一画素电极,设置于该画素区内;
于该绝缘层上形成一第二图案化导电层,该第二图案化导电层包括:
一第一栅极,设置于该第一薄膜晶体管区内,其中在一垂直投影方向上该第一栅极部分重叠该第一半导体图案;以及
一转接电极,设置于该画素区内,其中一部分的该转接电极与该画素电极接触并在该垂直投影方向上部分重叠该画素电极,而另一部分的该转接电极位于该绝缘层的表面且在该垂直投影方向上未与该画素电极重叠;
于在该垂直投影方向上与该第一栅极未重叠的该第一半导体图案中形成一第一掺杂区与一第二掺杂区,其中该第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第一掺杂类型;
形成一介电层覆盖该绝缘层、该画素电极与该第二图案化导电层,并于该介电层与该绝缘层中形成一第一开口暴露出该第一掺杂区以及一第二开口暴露出该第二掺杂区,以及于该介电层中形成一第三开口暴露出该转接电极;以及
于该介电层上形成一第三图案化导电层,该第三图案化导电层包括:
一第一源极,填入该第一开口并与该第一掺杂区电性连接;以及
一第一漏极,填入该第二开口并与该第二掺杂区电性连接以及填入该第三开口与该转接电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法,其特征在于,该图案化半导体层包括一多晶硅半导体层、该第一图案化导电层包括一透明导电层、该第二图案化导电层包括一不透明导电层,且该第三图案化导电层包括一不透明导电层。
3.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法,其特征在于,另包括于该介电层上形成一保护层,以覆盖该第一源极与该第一漏极,并于该保护层与该介电层中形成一第四开口,暴露出该画素电极。
4.根据权利要求3所述的制作显示面板的方法,其特征在于,该基板更具有一第二薄膜晶体管区以及一储存电容区,
该图案化半导体层更包括:
一第二半导体图案,设置于该基板上并位于该第二薄膜晶体管区内,其中该第二半导体图案具有一第三掺杂区与一第四掺杂区,且该第三掺杂区与该第四掺杂区具有一不同于该第一掺杂类型的第二掺杂类型;以及
一储存电容下电极,设置于该基板上并位于该储存电容区内;
该第二图案化导电层更包括:
一第二栅极,设置于该绝缘层上并位于该第二薄膜晶体管区内;以及
一储存电容上电极,设置于该绝缘层上并位于该储存电容区内;
该介电层与该绝缘层更具有:
一第五开口,暴露出该第三掺杂区;以及
一第六开口,暴露出该第四掺杂区;以及
该第三图案化导电层更包括:
一第二源极,位于该第二薄膜晶体管区内,该第二源极填入该第五开口并与该第三掺杂区电性连接;以及
一第二漏极,位于该第二薄膜晶体管区内,该第二漏极填入该第六开口并与该第四掺杂区电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造