[发明专利]显示面板及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明系关于一种显示面板及其制作方法，尤指一种具有自行对准的掺杂区、使用掺杂半导体层作为储存电容下电极以及使用转接电极连接画素电极与薄膜晶体管的漏极的显示面板及其制作方法。

【背景技术】

一般而言，显示面板包括多个画素结构，且各画素结构包括薄膜晶体管、储存电容以及画素电极等元件。在现有显示面板中，薄膜晶体管的半导体层内的源极掺杂区与漏极掺杂区以及栅极系使用不同的光罩加以定义，因此源极掺杂区与漏极掺杂区的位置容易与由栅极的位置有所偏差，而造成薄膜晶体管的元件特性不稳定的问题。此外，在现有显示面板中，画素电极容易在蚀刻介电层的开口时受损，而影响显示面板的显示品质。再者，现有制作显示面板的方法必须使用八道光刻与蚀刻制程，其制程复杂而造成制作成本大幅提升。

【发明内容】

本发明的目的的一在于提供一种显示面板及其制作方法，以提升显示面板的薄膜晶体管的元件特性及显示品质。

本发明的一实施例提供一种制作显示面板的方法，包括下列步骤。提供一基板，基板具有一画素区以及一第一薄膜晶体管区。于基板上形成一图案化半导体层，图案化半导体层包括一第一第一半导体图案，设置于第一薄膜晶体管区内。于基板上形成一绝缘层，其中绝缘层覆盖图案化半导体层。于绝缘层上形成一第一图案化导电层，第一图案化导电层包括一画素电极，设置于画素区内。于绝缘层上形成一第二图案化导电层，第二图案化导电层包括一第一栅极以及一转接电极。第一栅极设置于第一薄膜晶体管区内，其中在一垂直投影方向上第一栅极系部分重叠第一半导体图案。转接电极设置于画素区内，其中一部分的转接电极与画素电极接触并在垂直投影方向上部分重叠该画素电极，而另一部分的转接电极位于绝缘层的表面且在垂直投影方向上未与画素电极重叠。于在垂直投影方向上与第一栅极未重叠的第一半导体图案中形成一第一掺杂区与一第二掺杂区，其中第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第一掺杂类型。形成一介电层覆盖绝缘层、画素电极与第二图案化导电层，并于介电层与绝缘层中形成一第一开口暴露出第一掺杂区以及一第二开口暴露出第二掺杂区，以及于介电层中形成一第三开口暴露出转接电极。于介电层上形成一第三图案化导电层，第三图案化导电层包括一第一源极以及一第一漏极。第一源极填入第一开口并与第一掺杂区电性连接。第一漏极填入第二开口并与第二掺杂区电性连接以及填入第三开口与转接电极电性连接。

本发明的另一实施例提供一种显示面板，包括一基板、一第一半导体图案、一绝缘层、一画素电极、一第一栅极、一转接电极、一介电层、一第一源极以及一第一漏极。基板具有一画素区以及一第一薄膜晶体管区。第一半导体图案设置于基板上并位于第一薄膜晶体管区内，其中第一半导体图案具有一第一掺杂区与一第二掺杂区，且第一掺杂区与第二掺杂区具有一第一掺杂类型。绝缘层位于基板上并覆盖第一半导体图案。画素电极设置于绝缘层上并位于画素区内。第一栅极设置于绝缘层上并位于第一薄膜晶体管区，其中在一垂直投影方向上第一栅极未重叠第一掺杂区与第二掺杂区。转接电极设置于画素区内，其中一部分的转接电极与画素电极接触并在垂直投影方向上部分重叠画素电极，而另一部分的转接电极位于绝缘层的表面且在垂直投影方向上未与画素电极重叠。介电层覆盖绝缘层、画素电极以及第一栅极，其中介电层与绝缘层具有一第一开口部分暴露出第一掺杂区以及一第二开口部分暴露出第二掺杂区，以及介电层具有一第三开口部分暴露出转接电极。第一源极填入第一开口并与第一掺杂区电性连接。第一漏极填入第二开口并与第二掺杂区电性连接以及填入第三开口与转接电极电性连接。

本发明的显示面板及其制作方法具有下列优点。显示面板的薄膜晶体管的源极掺杂区与漏极掺杂区、储存电容下电极以及画素电极可利用同一道灰阶光罩加以形成。显示面板的储存电容的下电极与上电极可分别与薄膜晶体管的半导体层与栅极的制程整合，因此不需增加额外制程。此外，储存电容的下电极系为掺杂半导体电极，因此可具有较佳的电容值。显示面板具有与薄膜晶体管的栅极共同形成的连接电极，且薄膜晶体管的漏极系经由连接电极与画素电极电性连接，因此连接电极不需利用额外制程加以制作，且此作法可避免画素电极于蚀刻介电层时受到损伤。

【附图说明】

图1至图10绘示了本发明的第一实施例的制作显示面板的方法示意图。

图11绘示了本发明的第一实施例的变化实施例的制作显示面板的方法示意图。

图12至图20绘示了本发明的第二实施例的制作显示面板的方法示意图。