[发明专利]制造用于安装电子器件的衬底的方法

权利要求书

1.一种制造用于安装电子器件的衬底的方法，该方法包括步骤：

在所述衬底的除边缘部分之外的表面上布置保护层；

在所述衬底的除布置了所述保护层之外的整个表面上布置氧化物膜；

生长所述氧化物膜；

通过选择性地刻蚀所述保护层来在所述衬底的厚度方向上形成至少一个通孔；以及

去除所述氧化物膜。

2.权利要求1的方法，其中所述衬底是Si衬底。

3.权利要求1的方法，其中所述边缘部分在从所述衬底的边缘朝向其中心的方向上具有30μm的宽度。

4.权利要求1的方法，其中通过在所述衬底上沉积氮化物膜来形成所述保护层。

5.权利要求4的方法，其中所述氮化物膜是从包括SiON、SiNx及其混合物的组中选择的。

6.权利要求1的方法，其中通过向所述衬底提供O2气体来沉积所述氧化物膜。

7.权利要求1的方法，其中所述氧化物膜生长成具有5μm或大于5μm的厚度。

8.权利要求1的方法，其中形成所述通孔的步骤包括：

在所述保护层上形成具有图案的掩模；

选择性地刻蚀在所述图案之间暴露出来的所述保护层以暴露所述衬底的一部分；以及

刻蚀所述衬底的暴露部分以形成所述通孔。

9.权利要求8的方法，其中使用CH_xF_y气体来执行所述保护层的选择性刻蚀。

10.权利要求9的方法，其中CH_xF_y气体是CH₂F₂气体或CH₃F气体。

11.权利要求1的方法，其中所述保护层和所述氧化物膜具有不同刻蚀率。

12.权利要求1的方法，所述方法还包括步骤：

通过利用金属填充所述通孔来形成电极。

13.一种制造衬底的方法，包括步骤：

在所述衬底的第一表面上布置保护层；

在所述衬底的第二表面上布置氧化物种子层，其中所述第一表面与所述第二表面不重叠并且所述氧化物种子层布置于所述衬底的一个或多个边缘之上；

生长所述氧化物种子层以形成氧化物膜，所述氧化物膜的厚度大于所述氧化物种子层的厚度；

通过选择性地刻蚀所述保护层来在所述衬底的厚度方向上形成多个通孔；以及

去除所述氧化物膜。

14.权利要求13的方法，其中所述衬底是Si衬底。

15.权利要求13的方法，其中通过在所述衬底的所述第一表面上沉积氮化物膜来形成所述保护层。

16.权利要求15的方法，其中所述氮化物膜是从包括SiON、SiN_x及其混合物的组中选择的。

17.权利要求13的方法，其中通过向所述衬底提供O₂气体来沉积所述氧化物种子层。

18.权利要求17的方法，其中所述氧化物种子层生长以形成所述氧化物膜，所述氧化物膜具有5μm或大于5μm的厚度。

19.权利要求13的方法，其中形成所述多个通孔的步骤包括：

在所述保护层上形成具有图案的掩模；

选择性地刻蚀在所述图案之间暴露出来的所述保护层以暴露所述衬底的一部分；以及

刻蚀所述衬底的暴露部分以形成所述多个通孔。

20.权利要求19的方法，其中使用CH_xF_y气体来执行所述保护层的选择性刻蚀。