[发明专利]制造用于安装电子器件的衬底的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年5月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0052119的优先权，其公开通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及制造用于安装电子器件的衬底的方法。

背景技术

发光二极管（LED）是包括能够发光的材料的器件，其中通过半导体结部分中的电子-空穴复合产生的能量被转换成要从其发出的光。LED通常采用为普通照明装置、显示器装置等中的光源，因此已加速了LED的发展。

最近，特别地，氮化镓基LED的发展和使用已经增加，并且使用这样的氮化镓基LED的移动装置键盘、汽车转向信号灯、相机闪光灯等已经被商业化，与此一致，使用LED的普通照明装置的发展已加速。像应用了LED的产品（诸如大型电视机的背光单元、汽车头灯、普通照明装置等）那样，LED的当前趋势为越来越多地用在具有高输出和高效率的大尺寸产品中。因此，用在这样的产品中的LED的特性需要满足高水平LED所需的特性。

利用当前LED技术，发光元件安装在用于安装电子器件的衬底上，以便实现高度集成的LED。在此情况下，用于安装电子器件的衬底的制造工艺相对复杂，导致了过长的制造时间和过多的制造成本。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种制造用于安装电子器件的衬底的方法，其减少制造时间和成本。

根据本发明的一个方面，提供了一种制造用于安装电子器件的衬底的方法。该方法包括步骤：在所述衬底的除边缘部分之外的表面上形成保护层；在所述衬底的除所述保护层之外的整个表面上布置氧化物膜；生长所述氧化物膜；通过选择性地刻蚀所述保护层来在所述衬底的厚度方向上形成通孔；以及去除所述氧化物膜。

所述衬底可以是Si衬底。

所述边缘部分在从所述衬底的边缘朝向其中心的方向上可以具有30μm的宽度。

可以通过在所述衬底上沉积氮化物膜来形成所述保护层。

所述氮化物膜可以从包括SiON、SiN_x及其混合物的组中选择。

可以通过向所述衬底提供O₂气体来沉积所述氧化物膜。

所述氧化物膜可以生长成具有5μm或大于5μm的厚度。

形成所述通孔的步骤可以包括：在所述保护层上形成具有图案的掩模；选择性地刻蚀在所述图案之间暴露出来的所述保护层以暴露所述衬底的一部分；以及刻蚀所述衬底的暴露部分以形成所述通孔。

可以使用CH_xF_y气体来执行所述保护层的选择性刻蚀的步骤。

CH_xF_y气体可以是CH₂F₂气体或CH₃F气体。

所述保护层和所述氧化物膜可以具有不同刻蚀率。

所述方法还可以包括通过利用金属填充所述通孔来形成电极的步骤。

在另一个示例中，提供了一种制造衬底的方法。该方法包括步骤：在所述衬底的第一表面上布置保护层；在所述衬底的第二表面上布置氧化物种子层，所述第一表面与所述第二表面不重叠并且所述氧化物种子层布置于所述衬底的一个或多个边缘之上；生长所述氧化物种子层以形成氧化物膜，所述氧化物膜的厚度大于所述氧化物种子层的厚度；通过选择性地刻蚀所述保护层来在所述衬底的厚度方向上形成多个通孔；以及去除所述氧化物膜。

在下面描述中将部分阐述其他优点和新颖特征，对于本领域技术人员来说，一旦检查随后内容和附图则其他优点和新颖特征将是显而易见的，或者可以通过示例的产品或操作得知其他优点和新颖特征。可以通过实践或使用下面讨论的在详细示例中阐述的方法、手段及其组合的各种方面来实现和获得本发明的优点。

附图说明

根据下面结合附图进行的详细描述将更清楚地理解本发明的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是根据本发明的示例的衬底的平面图；以及

图2至图9是示出根据本发明的示例的制造用于安装电子器件的衬底的方法的示意剖面图。

具体实施方式

在下面详细的描述中，通过示例阐述许多具体细节以便提供相关教导的透彻理解。然而，对于本领域技术人员来说清楚的是，可以在没有这样的细节的情况下实践本教导。