[发明专利]运用多个程序的光学邻近校正方法和用于该方法的系统有效
申请号: | 201310179090.0 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN103424982B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | S·巴雷 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 酆迅,张臻贤 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运用 程序 光学 邻近 校正 方法 用于 系统 | ||
1.一种对设计布局执行光学邻近校正的方法,所述方法包括:
从所述设计布局生成至少一个设计剪辑,其中所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括所述设计布局的子集;
向所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位;
针对在所述至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑,确定所述选择的设计剪辑是否满足用于将所述选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准,其中所述预定标准包括以下标准中的一个标准或者逻辑组合:
所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比;以及
所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位,在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率;
针对被标识为满足所述预定标准的每个选择的设计剪辑,用标记层标记满足所述预定标准的区域;以及
用OPC程序对未用所述标记层标记的区域执行OPC,并且用与所述OPC程序不同的至少另一OPC程序对用所述标记层标记的区域执行OPC。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述预定标准包括所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比的逻辑组合。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述预定标准包括所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位的逻辑组合,在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述预定标准是所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比,或者所述预定标准是所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位,在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括:针对被标识为包括满足所述预定标准的至少一个测量部位的每个选择的设计剪辑,移动所述标记层以包括所述选择的设计剪辑内的满足所述预定标准的所有测量部位。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:通过在光学模型预测值和与剂量和聚焦深度条件的多个组合对应的测量数据之间比较临界尺度来生成包括所述OPC程序和所述至少另一OPC程序的多个OPC程序。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括:
从与标准剂量和聚焦深度条件对应的组合生成所述OPC程序;以及
从与至少一个非标准剂量和聚焦深度条件对应的至少另一组合生成所述至少另一OPC程序。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
针对所述多个组合中的每个组合生成在所述光学模型预测值与所述测量数据之间的误差均值和误差均方根(RMS);
标识所述多个组合的具有绝对值超过预定义的阈值误差均值绝对值的误差均值或者具有超过预定义的阈值误差RMS值的误差RMS的子集;以及
将所述子集分类成具有用于所述误差均值和所述误差RMS的非重叠范围的类别。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:
生成用于所述类别中的每个类别的不同抗蚀剂模型;以及
构造包括所述抗蚀剂模型中的一个抗蚀剂模型的所述至少另一OPC程序中的每个OPC程序。
10.一种标识具有不同设计复杂度水平的区域的方法,所述方法包括:
从所述设计布局生成至少一个设计剪辑,其中所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括所述设计布局的子集;
向所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位;
针对在所述至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑,确定所述选择的设计剪辑是否满足预定标准,所述预定标准包括如下标准中的至少一个标准:所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比,以及所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位,在该测量部位的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率;
针对满足所述标准的每个选择的设计剪辑,用标记层标记满足所述预定标准的每个区域;
将用所述标记层标记的区域分类为第一区域集合,并且将未用所述标记层标记的区域分类为第二区域集合;以及
在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储标识所述第一区域集合和所述第二区域集合中的至少一个区域集合的数据。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备