[发明专利]运用多个程序的光学邻近校正方法和用于该方法的系统

说明书

技术领域

本公开内容涉及一种用于光学邻近校正(OPC)的方法和用于实施该方法的系统，该方法运用基于多个过程模型的多个OPC程序。

背景技术

运用OPC使在光刻过程中印刷受辐射光的波性质影响的光刻形状成为可能。OPC在待印刷的光刻形状包括亚光刻特征，即如下特征时特别有用，这些特征具有比最小可印刷孔、线或者间隔物更小的尺度。

在本领域中已知的OPC方法通常运用对整个设计布局运用相同参数集合的单个OPC程序。在OPC程序中的参数集合例如包括片段和迭代数目。另外，在本领域中已知的OPC方法运用单个过程模型，该单个过程模型被应用于整个设计布局。单个过程模型包括单个抗蚀剂模型。

因此，在本领域中已知的OPC方法无论设计布局内的各种图案的灵敏度如何都运用相同OPC程序。另外，由于抗蚀剂显影特性和横截面形状在与光刻剂量和聚焦深度的不同集合对应的不同过程条件中并不相同，所以运用单个抗蚀剂模型的单个过程模型不代表整个过程变化范围。

发明内容

标记层放置于设计布局的如下区域中，在这些区域中，图像斜率小于临界图像斜率或者周长与面积之比小于临界周长与面积之比。可以通过对其中误差均值和/或误差均方根(RMS)超过阈值的过程条件子集进行分组来生成包括多个抗蚀剂模型的多光学邻近校正(OPC)。使用运用至少一个非标准抗蚀剂模型的严格OPC来处理用标记层标记的区域，而用不及至少一个非标准抗蚀剂模型严格的标准OPC程序处理布局的未标记区域。此外，可以在布局剪辑之间比较边数和区域图像对比度以确定用于边数和区域图像对比度的阈值，这些阈值可以用来针对每个布局剪辑确定是否需要多OPC。

根据本公开内容的一个方面，提供一种对设计布局执行光学邻近校正的方法。该方法包括：从设计布局生成至少一个设计剪辑，其中至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定选择的设计剪辑是否满足用于将选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准；针对被标识为满足预定标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定标准的区域；以及用OPC程序对未用标记层标记的区域执行OPC，并且用与OPC程序不同的至少另一OPC程序对用标记层标记的区域执行OPC。

根据本公开内容的另一方面，提供一种对设计布局执行光学邻近校正的方法。该方法包括：针对设计布局生成周长与面积之比的映射；将来自设计布局的多个设计剪辑排序到多个仓中，其中每个仓包括用于周长与面积之比的值的非重叠范围；针对从多个仓选择的每个仓，对于选择的仓内的设计剪辑确定用于至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数的阈值，其中该阈值表征其中设计形状的桥接或者夹断不存在空白的设计剪辑；针对每个选择的仓，将设计剪辑分类为第一设计剪辑和包括除了第一设计剪辑之外的所有其他设计剪辑的第二设计剪辑，该第一设计剪辑针对至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数具有代表比对应阈值更小的复杂度的值；以及用第一OPC程序对第一设计剪辑执行OPC，并且用与该OPC程序不同的至少一个第二OPC程序对第二设计剪辑执行OPC。

根据本公开内容的又一方面，提供一种标识具有不同设计复杂度水平的方法。该方法包括：从设计布局生成至少一个设计剪辑，其中至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定选择的设计剪辑是否满足预定标准，该预定标准包括以下至少一个：选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比和选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率；针对满足标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定标准的每个区域；将用标记层标记的区域分类为第一区域集合，并且将未周标记层标记的区域分类为第二区域集合；以及在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储标识第一区域集合和第二区域集合中的至少一个区域集合的数据。