[发明专利]一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件有效
| 申请号： | 201310179910.6 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258814A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张波;樊航;曲黎明;盛玉荣;蒋苓利 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/07;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 芯片 esd 防护 ldmos scr 器件 | ||
1.一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，包括一个nLDMOS器件；所述nLDMOS器件包括并排位于衬底表面的N型漂移区和P型基区，其中N型漂移区和P型基区相互接触或不接触；所述P型基区中具有与源极金属相连的N+源区和P+接触区，其中N+源区和P+接触区相互接触或不接触；所述N型漂移区表面远离P型基区的一侧具有与漏极金属相连的N+漏区；所述N+源区和N型漂移区之间的P型基区表面具有栅氧化层，栅氧化层表面具有多晶硅栅极；
所述nLDMOS器件的N型漂移区还具有一个P阱，P阱的存在应保证nLDMOS器件的N+漏区与N型漂移区和P阱两者均接触；所述P阱中具有第二N+源区和第二P+接触区，其中第二N+源区靠近nLDMOS器件的N+漏区，而第二P+接触区远离nLDMOS器件的N+漏区，nLDMOS器件的N+漏区与第二N+源区之间的P阱表面具有第二栅氧化层，第二栅氧化层表面具有第二多晶硅栅极；由P阱、nLDMOS器件的N+漏区、第二N+源区、第二P+接触区，以及第二栅氧化层和第二多晶硅栅极一起构成一个低压NMOS器件，其中第二N+源区和第二P+接触区与低压NMOS器件的源极金属相连。
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，其特征在于，所述nLDMOS器件的N+漏区相比第二N+源区和第二P+接触区更靠近nLDMOS器件的P型基区。
3.根据权利要求1所述的集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，其特征在于，所述nLDMOS器件的N+漏区相比第二N+源区和第二P+接触区更远离nLDMOS器件的P型基区。
4.一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，包括一个pLDMOS器件；所述pLDMOS器件包括并排位于衬底表面的P型漂移区和N型基区，其中P型漂移区和N型基区相互接触或不接触；所述N型基区中具有与源极金属相连的P+源区和N+接触区，其中P+源区和N+接触区相互接触或不接触；所述P型漂移区表面远离N型基区的一侧具有与漏极金属相连的P+漏区；所述P+源区和P型漂移区之间的N型基区表面具有栅氧化层，栅氧化层表面具有多晶硅栅极；
所述pLDMOS器件的P型漂移区还具有一个N阱，N阱的存在应保证pLDMOS器件的P+漏区与P型漂移区和N阱两者均接触；所述N阱中具有第二P+源区和第二N+接触区，其中第二P+源区靠近pLDMOS器件的P+漏区，而第二N+接触区远离pLDMOS器件的P+漏区，pLDMOS器件的P+漏区与第二P+源区之间的N阱表面具有第二栅氧化层，第二栅氧化层表面具有第二多晶硅栅极；由N阱、pLDMOS器件的P+漏区、第二P+源区、第二N+接触区，以及第二栅氧化层和第二多晶硅栅极一起构成一个低压PMOS器件，其中第二P+源区和第二N+接触区与低压PMOS器件的源极金属相连。
5.根据权利要求4所述的集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，其特征在于，所述pLDMOS器件的P+漏区相比第二P+源区和第二N+接触区更靠近pLDMOS器件的N型基区。
6.根据权利要求4所述的集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，其特征在于，所述pLDMOS器件的P+漏区相比第二P+源区和第二N+接触区更远离pLDMOS器件的N型基区。
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