[发明专利]烯烃环氧化催化剂的再生方法

权利要求书

1.一种烯烃环氧化催化剂的再生方法，包括以下步骤：

a）使溶剂通过在烯烃环氧化反应中使用而失活的环氧化催化剂床层； 

b）使含钛前驱体的溶剂通过经步骤a）处理的催化剂床层；

c）使溶剂通过经步骤b）处理的催化剂床层，再用惰性气体吹扫，去除催化剂床层中残余的溶剂；

d）使硅烷化试剂与经步骤c）处理的催化剂床层接触，得到再生后的烯烃环氧化催化剂。

2.根据权利要求1所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于步骤a）温度为100~300℃，优选为120~250℃；压力为0.1~10MPa，优选为0.1~5MPa；空速为0.01~10小时^-1，优选为0.1~5小时^-1。

3.根据权利要求1所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于步骤b）温度为10~500℃，优选为25~400℃；压力为0.1~10MPa，优选为0.1~5MPa；空速为0.01~10小时^-1，优选为0.1~5小时^-1；钛前驱体在溶剂中的重量百分含量为0.001~10%，优选为0.01~5%；所述钛前驱体选自TiCl₄、TiCl₃、TiBr₄、TiI₄、通式为Ti(OR)₄的有机钛酸酯或有机钛螯合物，其中R是含1~9个碳原子的烃基。

4.根据权利要求1所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于步骤c）温度为10~300℃，优选为25~200℃；压力为0.1~10MPa，优选为0.1~5MPa；空速为0.01~10小时^-1，优选为0.1~5小时^-1。

5.根据权利要求1所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于步骤d）为使含硅烷基化试剂的干燥气体与经步骤c）处理的催化剂床层接触；温度为10~500℃，优选为25~350℃；压力为0.1~10MPa，优选为0.1~5MPa；硅烷化试剂在干燥气体中的体积含量为0.5~50%，优选为5~20%； 

或者为，使含硅烷基化试剂的溶剂与经步骤c）处理的催化剂床层接触；温度为10~400℃，优选为25~350℃；压力为0.1~10MPa，优选为0.1~5MPa；硅烷化试剂在溶剂中的重量百分含量为0.01~50%，优选为1~30%。

6.根据权利要求1所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于所述环氧化催化剂选自Ti-HMS、Ti-MCM41或者含钛的无定型二氧化硅催化剂Ti/SiO₂。

7.根据权利要求1或5所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于所述溶剂选自苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、正丙苯、异丙苯、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、环己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、戊烯、环戊烯、己烯、环己烯或庚烯中的至少一种；优选环氧化反应时氧化剂溶解于其中的溶剂。

8.根据权利要求7所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于当采用过氧化氢乙苯作氧化剂时，溶剂为乙苯；当采用过氧化氢异丙苯作氧化剂时，溶剂为异丙苯；当采用叔丁基过氧化氢作氧化剂时，溶剂为叔丁醇；当采用环己基过氧化氢作氧化剂时，溶剂为环己烷。

9.根据权利要求1所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于所述硅烷化试剂选自有机硅烷、有机硅氮烷或有机甲硅烷基胺中的至少一种。

10.根据权利要求9所述烯烃环氧化催化剂的再生方法，其特征在于所述有机硅烷选自三甲基氯硅烷、三乙基氯硅烷、三丙基氯硅烷、三丁基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、二甲基苯基氯硅烷、二甲基乙基氯硅烷、二甲基正丙基氯硅烷、二甲基异丙基氯硅烷、正丁基二甲基氯硅烷或甲基苯基氯硅烷中的至少一种；优选三甲基氯硅烷、三乙基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、二甲基苯基氯硅烷或二甲基乙基氯硅烷中的至少一种；更优选为三甲基氯硅烷或二甲基二氯硅烷中的至少一种；

所述有机硅氮烷选自六甲基二硅氮烷、1,1,3,3-四甲基二硅氮烷、1,3-二（氯甲基）四甲基二硅氮烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氮烷或1,3-二苯基四甲基二硅氮烷中的至少一种；优选六甲基二硅氮烷或1,1,3,3-四甲基二硅氮烷中的至少一种；更优选为六甲基二硅氮烷或1,1,3,3-四甲基二硅氮烷中的至少一种；

所述有机甲硅烷基胺选自N-三甲基甲硅烷基咪唑、N-叔丁基二甲基甲硅烷基咪唑、N-二甲基乙基甲硅烷基咪唑、N-二甲基正丙基甲硅烷基咪唑、N-二甲基异丙基甲硅烷基咪唑、N-三甲基甲硅烷基二甲基胺或N-三甲基甲硅烷基二乙基胺中的至少一种；优选N-三甲基甲硅烷基咪唑、N-二甲基乙基甲硅烷基咪唑、N-三甲基甲硅烷基二甲基胺或N-三甲基甲硅烷基二乙基胺中的至少一种。