[发明专利]利用具有非金属部分的掩模形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

形成包括非金属的第一间隔部分和非金属的第二间隔部分的掩模图案，该非金属的第一间隔部分在下目标层上在第一方向上延伸，该非金属的第二间隔部分在下目标层上在第二方向上延伸以在多个位置交叉该非金属的第一间隔部分，

其中形成所述掩模图案包括：

在所述下目标层上形成第一硬掩模层，形成所述第一硬掩模层包括形成有机掩模层和在所述有机掩模层上形成无机掩模层；

在所述第一硬掩模层上形成非金属的缓冲图案，所述非金属的缓冲图案在所述第二方向上延伸；

在所述第一硬掩模层上以及在所述非金属的缓冲图案上形成在所述第一方向上延伸的硬掩模图案；

利用所述硬掩模图案蚀刻所述第一硬掩模层以去除所述无机掩模层的被所述硬掩模图案暴露的部分，从而暴露所述有机掩模层，并留下在所述非金属的缓冲图案下面和在所述硬掩模图案下面的无机掩模图案；以及

从所述非金属的缓冲图案以及从所述无机掩模图案去除所述硬掩模图案；以及

利用所述掩模图案蚀刻所述下目标层。

2.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述下目标层还包括：

在蚀刻所述下目标层时，去除所述掩模图案的非金属的第二间隔部分的上部分。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述非金属的第一和第二间隔部分没有金属。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述非金属的第一和第二间隔部分包括相应的非金属的第一和第二间隔线形部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成硬掩模图案包括形成硬掩模图案以包括覆盖所述下目标层下面的隔离区并且在所述非金属的缓冲图案的直接相邻部分之间延伸的部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模层和所述非金属的缓冲图案具有相对于所述硬掩模图案的蚀刻选择性。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成所述掩模图案还包括：

利用所述非金属的缓冲图案和所述无机掩模图案蚀刻所述有机掩模层的暴露部分以暴露下面的部分所述下目标层并形成所述掩模图案的所述非金属的第一和第二间隔部分。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述掩模图案的所述第二间隔部分包括所述非金属的缓冲图案。

9.如权利要求7所述的方法，其中蚀刻所述下目标层包括利用所述无机掩模图案、下面的所述有机掩模层和所述非金属的缓冲图案各向异性地蚀刻所述下目标层。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

从所述下目标层去除所述掩模图案。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

在所述下目标层的暴露部分上形成填充材料。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述非金属的第一间隔部分间隔开第一距离，所述非金属的第二间隔部分间隔开与所述第一距离不同的第二距离。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第二距离在整个所述下目标层上变化。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述非金属的第一间隔部分间隔开第一距离，所述非金属的第二间隔部分间隔开与所述第一距离相等的第二距离。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件包括静态随机存取存储器。

16.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述掩模图案之前形成栅电极，其中蚀刻下目标层暴露与在所述下目标层下面的与所述栅电极相关的有源区。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述非金属的第一间隔部分和所述非金属的第二间隔部分分别包括在彼此垂直的第一和第二方向上延伸的非金属的第一间隔线和非金属的第二间隔线。