[发明专利]一种基于框架的多器件SMT扁平封装件及其制作工艺在审
| 申请号： | 201310181599.9 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103325756A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李万霞;魏海东;李站;王振宇;崔梦 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 框架 器件 smt 扁平封装 及其 制作 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于框架的多器件SMT扁平封装件，其特征在于：主要由引线框架（1），绝缘胶（2），芯片（3），键合线（4），电感、电阻、电容和封装成品（5），塑封体（6）组成；所述引线框架（1）通过绝缘胶（2）与芯片（3）连接，引线框架（1）与电感、电阻、电容和封装成品（5）通过电感、电阻、电容和封装成品（5）的引脚连接，所述键合线（4）直接连接芯片（3）和引线框架（1），塑封体（6）包围了引线框架（1）、绝缘胶（2）、芯片（3）、键合线（4）、电感, 电感、电阻、电容和封装成品（5）并构成了电路的整体，芯片（3）、键合线（4）、电感、电阻、电容和封装成品（5）、引线框架（1）构成了电路的电源和信号通道。
2.一种基于框架的多器件SMT扁平封装件的制作工艺，其特征在于：其按照以下主要步骤进行：
（1）、电感、电阻、电容和封装成品（5）引脚沾锡，与引线框架（1）相连；
（2）、减薄、划片：减薄厚度50μm～200μm，150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
（3）、上芯（粘片）：采用绝缘胶（2）将芯片（3）与引线框架（1）相连；
（4）、压焊：压焊同常规QFN/DFN工艺相同；
（5）、塑封、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN/DFN工艺相同。
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