[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一第一基底；

一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；

一导电层，设置于该第二基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；

一开口，自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层；以及

一保护层，设置于该上半导体层及该导电层之上，其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上，且不覆盖该开口中的该下半导体层。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一信号导电结构，该信号导电结构设置于该第一基底的一下表面之上，且电性连接该第一基底上的一信号接垫。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二导电层，该第二导电层电性连接该信号导电结构及该信号接垫。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一孔洞，该孔洞自该第一基底的该下表面朝该信号接垫延伸，其中该第二导电层延伸进入该孔洞而电性接触该信号接垫，且该第二导电层与该第一基底之间隔有一第二绝缘层。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层的最靠近该开口的一侧边与该开口隔有一距离。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二孔洞，该第二孔洞自该第二基底的该上半导体层的一上表面朝该第二基底的该下半导体层延伸，其中该导电层延伸进入该第二孔洞而电性接触该下半导体层的该部分。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该第二孔洞对齐于该至少一接垫。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层直接接触该第二基底。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该保护层直接接触该导电层、该上半导体层及该绝缘层。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一承载基底，设置于该第二基底之上。

11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底；

提供一第二基底，包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层；

将该第二基底接合于该第一基底之上且使该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；

移除部分的该上半导体层及该绝缘层以形成露出该下半导体层的一上表面的一开口；

于该第二基底的该上半导体层之上形成一导电层，其中该导电层电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；

于该上半导体层及该导电层上形成一保护层，其中该保护层延伸至该开口的侧壁上，且该开口中的该下半导体层的该上表面未被该保护层覆盖；以及

以该保护层为遮罩，自该开口中的该下半导体层的该上表面移除部分的该下半导体层而使该开口延伸进入该下半导体层。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于该第一基底的一下表面上设置一信号导电结构，该信号导电结构电性连接该第一基底上的一信号接垫。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

自该第一基底的该下表面移除部分的该第一基底以形成露出该信号接垫的一孔洞；

于该第一基底的该下表面上及该第二孔洞的一侧壁上形成一第二绝缘层；

于该第一基底的该下表面上形成一第二导电层，该第二导电层延伸进入该孔洞而电性连接该信号接垫；以及

于该第一基底的该下表面上的该第二导电层上形成该信号导电结构。

14.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于形成该导电层之前，移除部分的该上半导体层以形成朝该下半导体层延伸的一第二孔洞，接着形成该导电层以使该导电层延伸进入该第二孔洞而电性接触该下半导体层的该部分。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该开口与该第二孔洞同时形成。