[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，且特别是有关于多晶片封装体。

背景技术

随着电子产品朝向轻、薄、短、小发展的趋势，半导体晶片的封装结构也朝向多晶片封装(multi-chip package,MCP)结构发展，以达到多功能和高性能要求。多晶片封装结构是将不同类型的半导体晶片，例如逻辑晶片、模拟晶片、控制晶片、存储器晶片、微机电系统晶片，整合在单一封装基底之上。

业界亟需改进的多晶片封装技术。

发明内容

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；一导电层，设置于该第二基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；一开口，自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层；以及一保护层，设置于该上半导体层及该导电层之上，其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上，且不覆盖该开口中的该下半导体层。

本发明一实施例提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一第一基底；提供一第二基底，包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层；将该第二基底接合于该第一基底之上且使该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；移除部分的该上半导体层及该绝缘层以形成露出该下半导体层的一上表面的一开口；于该第二基底的该上半导体层之上形成一导电层，其中该导电层电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；于该上半导体层及该导电层上形成一保护层，其中该保护层延伸至该开口的侧壁上，且该开口中的该下半导体层的该上表面未被该保护层覆盖；以及以该保护层为遮罩，自该开口中的该下半导体层的该上表面移除部分的该下半导体层而使该开口延伸进入该下半导体层。

附图说明

图1A-图1K显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图2显示根据本发明一实施例的晶片封装体的剖面图。

附图中符号的简单说明如下：

10、20：基底

100：上半导体层

100a、100b：表面

102：绝缘层

104：下半导体层

106a：孔洞

106b、106c：开口

108：导电层

109：保护层

110：承载基底

112、112’：粘着层

200：半导体基底

200a、200b：表面

202：介电层

204：接垫

206：孔洞

208：绝缘层

210a：晶种层

210b：导电层

212：保护层

214：导电结构。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以以多种特定形式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。本领域技术人员自本申请的权利要求中所能推及的所有实施方式皆属本申请所欲揭露的内容。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。