[发明专利]基于电阻的随机存取存储器

权利要求书

1.一种基于电阻的随机存取存储电路，包括：

第一数据线，具有第一端、第二端和限定在所述第一数据线的第一端和所述第一数据线的第二端之间的N个节点，N是整数并且N≥2；

第二数据线，具有第一端、第二端和限定在所述第二数据线的第一端和所述第二数据线的第二端之间的N个节点；

多个基于电阻的存储单元，沿平行于所述第一数据线和所述第二数据线的方向一个接一个地排列，所述多个基于电阻的存储单元中的每一个都具有与所述第一数据线连接的第一端和与所述第二数据线连接的第二端；

第一驱动单元，与所述第一数据线的第一端和所述第二数据线的第一端连接；以及

第二驱动单元，与所述第一数据线的第二端和所述第二数据线的第二端连接；

其中，所述第一驱动单元和所述第二驱动单元被配置为在一段时间内将所述第一数据线和所述第二数据线中的一条数据线耦合至第一电压节点并且将所述第一数据线和所述第二数据线中的另一条数据线耦合至第二电压节点。

2.根据权利要求1所述的存储电路，其中，所述第一驱动单元包括：

第一晶体管；

第二晶体管；以及

开关电路，被配置成响应于写入使能信号的逻辑电平，将所述第一晶体管和所述第二晶体管设置为一对交叉耦合的晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储电路，其中，所述开关电路包括：

节点，被配置成承载所述写入使能信号；

第一OR门，包括：

输出节点，连接至所述第一晶体管的栅极；

第一输入节点，连接至控制路径；和

第二输入节点，连接至所述第二晶体管的漏极；以及

第二OR门，包括：

输出节点，连接至所述第二晶体管的栅极；

第一输入节点，连接至所述控制路径；和

第二输入节点，连接至所述第一晶体管的漏极。

4.根据权利要求2所述的存储电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是p型晶体管。

5.根据权利要求2所述的存储电路，其中，所述第一驱动单元进一步包括：

晶体管，被配置成响应于写入数据将所述第一数据线连接至所述第一电压节点。

6.根据权利要求2所述的存储电路，其中，所述第一驱动单元进一步包括：

晶体管，被配置成响应于写入数据将所述第二数据线连接至所述第一电压节点。

7.根据权利要求1所述的存储电路，其中，所述第二驱动单元包括：

第一晶体管；

第二晶体管；以及

开关电路，被配置成响应于读取使能信号的逻辑电平，将所述第一晶体管和所述第二晶体管设置为一对交叉耦合的晶体管。

8.根据权利要求7所述的存储电路，其中，所述开关电路包括：

节点，被配置成承载所述读取使能信号；以及

OR门，包括：

输出节点，连接至所述第一晶体管的栅极；

第一输入节点，连接至控制路径；和

第二输入节点，连接至所述第二晶体管的漏极。

9.根据权利要求7所述的存储电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是n型晶体管。

10.根据权利要求1所述的存储电路，其中，所述第一电压节点被配置成承载第一电压电平，并且所述第二电压节点被配置成承载低于所述第一电压电平的第二电压电平。

11.根据权利要求1所述的存储电路，其中，基于电阻的存储单元是电阻式随机存取存储单元、磁阻式随机存取存储单元或者相变随机存取存储单元。