[发明专利]光通讯装置有效
申请号: | 201310186019.5 | 申请日: | 2013-05-20 |
公开(公告)号: | CN104166190B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 曾国峰 | 申请(专利权)人: | 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 薛晓伟 |
地址: | 518109 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通讯 装置 | ||
1.一种光通讯装置,其包括一平面光波导、一电路板、一发光元件、一收光元件、一聚光装置、一第一控制器以及一处理器,所述电路板包括一安装面及一与所述安装面相背的下表面,所述发光元件和所述收光元件均承载于所述安装面,并均与所述电路板电性连接,所述发光元件包括一发光面,所述收光元件包括一收光面,其特征在于:所述平面光波导埋设于所述电路板,所述平面光波导包括一相对所述安装面倾斜的第一斜面及一相对所述安装面倾斜的第二斜面,所述安装面开设一第一导光孔及一第二导光孔,所述第一斜面与所述第一导光孔相连通,所述第二斜面与所述第二导光孔相连通,所述发光面通过所述第一导光孔与所述第一斜面相对正,所述收光面通过所述第二导光孔与所述第二斜面相对正,所述安装面的一侧形成有一第一焊垫、一第二焊垫、一第三焊垫及一第四焊垫,所述第一焊垫与第二焊垫相对设置,所述第一导光孔位于所述第一焊垫与所述第二焊垫之间,所述聚光装置电性连接至所述第一焊垫与所述第二焊垫,所述发光元件承载于所述聚光装置,所述聚光装置用于将所述发光元件发射的光汇聚于所述第一斜面,所述第一控制器电性连接至所述第二焊垫和所述第三焊垫,所述处理器电性连接至所述第三焊垫和所述第四焊垫。
2.如权利要求1所述的光通讯装置,其特征在于:所述第一斜面及所述第二斜面均与所述安装面成45度角。
3.如权利要求1所述的光通讯装置,其特征在于:所述安装面的另一侧形成有一第五焊垫、一第六焊垫、一第七焊垫和一第八焊垫,所述第五焊垫和所述第六焊垫相对设置,所述第二导光孔位于所述第五焊垫和所述第六焊垫之间,所述光通讯装置进一步包括另一聚光装置、一第二控制器、以及一记忆体,所述另一聚光装置电性连接至所述第五焊垫与所述第六焊垫,所述收光元件承载于所述另一聚光装置,所述另一聚光装置用于将从所述第二斜面射出的光汇聚于所述收光元件。
4.如权利要求3所述的光通讯装置,其特征在于:每个聚光装置均包括一中空状的容置体、一贴设于容置体外侧面的导电部,以及一收容于容置体内的聚光球,所述容置体内形成有一容置腔用于收容所述聚光球,每个所述容置体包括一与所述安装面相对设置的第一表面以及一与所述第一表面相背的第二表面,所述第一表面以及所述第二表面均开设一圆形的通光孔,两个所述通光孔均与所述容置腔相连通,所述通光孔的直径小于或等于所述聚光球的直径,两个所述聚光球分别与所述第一斜面和所述第二斜面相对正。
5.如权利要求3所述的光通讯装置,其特征在于:所述电路板还包括一与所述安装面相背的下表面,所述下表面设置多个下焊垫,所述电路板还开设有一同时贯穿所述安装面与所述下表面的第一贯穿孔,所述第一贯穿孔收容有导电材料,所述第一贯穿孔内的导电材料的一端连接至所述第三焊垫,所述第一贯穿孔内的导电材料的另一端连接至其中一下焊垫。
6.如权利要求5所述的光通讯装置,其特征在于:所述电路板还开设有一同时贯穿所述安装面与所述下表面的第二贯穿孔,所述第二贯穿孔收容有导电材料,所述第二贯穿孔内的导电材料的一端连接至所述第七焊垫,所述第二贯穿孔内的导电材料的另一端连接至其中另一下焊垫。
7.如权利要求6所述的光通讯装置,其特征在于:所述电路板还包括一第一侧面以及一与所述第一侧面相背的第二侧面,所述第一侧面和所述第二侧面均连接所述安装面与所述下表面,所述第一侧面开设一第三贯穿孔,所述第三贯穿孔贯穿至所述第一导光孔,所述第三贯穿孔收容有导电材料,所述第一贯穿孔内的导电材料与所述第三贯穿孔内的所述导电材料电性连接。
8.如权利要求7所述的光通讯装置,其特征在于:所述第二侧面开设一第四贯穿孔,所述第四贯穿孔贯穿至所述第二导光孔,所述第四贯穿孔收容有导电材料,所述第四贯穿孔的导电材料与所述第二贯穿孔内的所述导电材料电性连接。
9.如权利要求8所述的光通讯装置,其特征在于:所述电路板还开设有一同时贯穿所述第一侧面和所述第二侧面的第五贯穿孔,所述第五贯穿孔收容有导电材料,所述第五贯穿孔内的导电材料与所述第一贯穿孔和第二贯穿孔内的所述导电材料均电性连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司,未经赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310186019.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。