[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、发光模块和照明设备

说明书

本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年5月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0052926的优先权，该申请的公开内容以引用的方式结合于此。

技术领域

本发明涉及具有多单元阵列的半导体发光器件及其制造方法、包括具有多单元阵列的半导体发光器件的发光模块以及包括该发光模块的照明设备。

背景技术

通常，半导体发光器件（LED）作为光源在功率效率和可靠性方面是有利的。因此，半导体LED已被积极地开发为高功率、高效率的光源，用于各种照明设备以及用于显示装置的背光单元。

为了这种半导体LED作为照明光源的商业化，需要增加其光效率并减少其生成成本，同时将其功率增加到期望的水平。

然而，与使用低额定电流的低功率LED相比，使用高额定电流的高功率LED由于高电流密度而具有较低的光效率。

具体而言，如果增大LED芯片的额定电流以获取（例如，与相同面积的LED芯片相比）更高的光通量并获取更高的功率，则由于电流密度的增加会降低光效率。而且，由于该器件产生的热会进一步加剧光效率降低，从而导致半导体发光器件亮度的降低。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种具有提高的亮度的半导体发光器件及其制造方法。

根据本发明的一个方面，一种半导体发光器件包括：衬底；布置在所述衬底上的多个发光单元，其中每个发光单元包括第一导电半导体层，并且其中在所述第一导电半导体层的至少一部分顶面上布置有有源层和第二导电半导体层；对于所述多个发光单元中的每一个发光单元分别布置在第一和第二导电半导体层上的第一电极和第二电极；将一个发光单元的第一或第二电极连接至所述多个发光单元当中与所述一个发光单元相邻的另一个发光单元的第一或第二电极的互连部件；覆盖所述多个发光单元当中的至少一个发光单元的表面的第一绝缘层，其布置在该发光单元除了面对所述第一电极的部分之外的至少一部分表面上；以及布置在所述第一绝缘层上以便完全覆盖所述多个发光单元当中的所述至少一个发光单元的第二绝缘层。

每个发光单元中的第一绝缘层可以不被形成在所述第一电极与该发光单元面对所述第一电极的侧表面之间。

可以由氧化硅或氮化硅形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

所述半导体发光器件还可以包括布置在每个发光单元的所述第二导电半导体层的顶部上的透明电极。

所述第一和第二电极可以布置在每个发光单元的顶面上。

在每个发光单元中，所述第一绝缘层可以不被形成在其上布置有第二电极的第二导电半导体层上。

至少两个发光单元可以通过发光单元的第一电极和第二电极被串联互连，并且所述至少两个发光单元的串联互连可以在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被耦接。在一个示例中，至少两个发光单元的第一串联互连与至少两个发光单元的第二串联互连在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被并联耦接。

每个发光单元的有源层和第二导电半导体层在该发光单元的顶面上可以布置成U形图案，并且所述第一电极在该发光单元的顶面上可以布置在所述U形成图案的间隙中。此外，所述第一绝缘层可以布置在每个发光单元上，使得所述第一绝缘层没有覆盖所述U形图案中的间隙的任何部分。