[发明专利]一种LED晶片切割方法

权利要求书

1.一种LED晶片切割方法，包括LED晶片，其特征在于，低功率普通切割激光和隐形切割激光同时应用于同一LED晶片上。

2.根据权利要求1所述的LED晶片切割方法，其特征在于，切割时，先用低功率普通切割激光在晶片上形成一道切割痕;然后，再用隐形切割激光在普通激光切割过的切割痕上进行隐形切割。

3.根据权利要求2所述的LED晶片切割方法，其特征在于，隐形切割的位置与普通切割的痕迹完全重合。

4.根据权利要求3所述的LED晶片切割方法，其特征在于，普通切割激光在晶片上形成的切割痕，深度不大于10μm，宽度不小于8μm。

5.根据权利要求1所述的LED晶片切割方法，其特征在于，低功率普通切割激光波长为355nm或者266nm，隐形切割激光波长为1064nm。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的LED晶片切割方法，其特征在于，LED晶片为蓝宝石衬底的晶片或者蒸镀膜层的晶片。

7.根据权利要求6所述的LED晶片切割方法，其特征在于，蒸镀膜层的晶片为LED晶片的正面或/和背面蒸镀了膜层。

8.根据权利要求7所述的LED晶片切割方法，其特征在于，LED晶片上蒸镀的膜层为布拉格反射层、Au层、Ti层、Ni层或Al层中的至少一种。

9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的LED晶片切割方法，其特征在于，包括以下步骤:

a、对减薄后的LED晶片进行蒸镀膜层处理。

b、切割LED晶片的正面或者背面;

c、采用低功率切割激光切割深度不超过10μm的切割痕;然后采用隐形切割激光在切割痕进行隐形切割;

d、切割后，贴麦拉膜进行常规裂片，得到样片。

10.根据权利要求9所述的LED晶片切割方法，其特征在于，将普通激光切割器置于隐形切割机中，普通激光头与隐形激光头固定在同一运动轴上。

11.根据权利要求9所述的LED晶片切割方法，其特征在于，设定普通切割激光的功率为0.2W-1.0W，隐形切割激光功率为0.1W-0.5W。

12.根据权利要求9所述的LED晶片切割方法，其特征在于，若应用于晶片的正面切割，在切割前按保护液:水＝1:8的比例混合，将混合液均匀涂抹于LED晶片待切割面。