[发明专利]一种LED晶片切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED晶片生产技术领域，特别地，涉及一种LED晶片切割方法。

背景技术

LED的切割技术最为成熟的是普通激光切割，一般来说，激光的波长为355nm或者266nm，其特点在于它既能划开蓝宝石衬底，也能划开各种膜层。比如GAN层，布拉格反射层、金属层等。

近年来出现的LED切割技术为隐形激光切割，其特点在于它能穿透蓝宝石衬底，在蓝宝石中间层形成具有能量的气孔，爆开气孔达到切割的目的。它减少了晶片侧面的激光灼伤面积，从而减少晶片的出光损失，以此手段可提高晶片的出光亮度5～10%，但是由于激光波长为1064nm，所以它在穿透GAN层和某些布拉格反射层会导致激光穿透异常，并且它也无法穿透金属膜层，所以它既不能用于晶片的正面切割，也不能用于背面蒸镀了金属膜层晶片的切割。

晶片在减薄后常需在其背面镀上光学反射膜层以提升晶片的亮度。常用的反射膜可以为布拉格反射膜、金属反射膜或者二者的复合体。据实验数据显示背镀反射膜的晶片比未背镀反射膜的晶片，亮度提高5%以上。

由于大功率晶片对亮度和可靠性的要求越来越高，所以在大功率晶片上结合隐形切割和背镀反射膜层的工艺技术迅速的发展起来，其中以先切割后蒸镀膜层为主要工艺方法，但由于切割后，晶片内部己经形成切痕，即使使用了某些方法能够有效减少晶片在背镀时的破片，但破片率仍然高于普通晶片的3%-5%，从工艺的控制和生产的稳定性而言并不是可取的方法。

因此，研制一种新型的LED晶片切割方法是急需解决的技术问题。

发明内容

本发明目的在于提供一种LED晶片切割方法，以解决的技术问题。

为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种LED晶片切割方法包括LED晶片，低功率普通切割激光和隐形切割激光同时应用于同一LED晶片上。

进一步地，切割时，先用低功率普通切割激光在晶片上形成一道切割痕；然后，再用隐形切割激光在普通激光切割过的切割痕上进行隐形切割。

进一步地，隐形切割的位置与普通切割的痕迹完全重合。

进一步地，普通切割激光在晶片上形成的切割痕，深度不大于10μm，宽度不小于8μm。

进一步地，低功率普通切割激光波长为355nm或者266nm，隐形切割激光波长为1064nm。

进一步地，LED晶片为蓝宝石衬底的晶片或者蒸镀膜层的晶片。

进一步地，蒸镀膜层的晶片为LED晶片的正面或/和背面蒸镀了膜层。

进一步地，LED晶片上蒸镀的膜层为布拉格反射层、Au层、Ti层、Ni层或Al层中的至少一种。

为实现上述目的，提供了另一种LED晶片切割方法，包括以下步骤:a、对减薄后的LED晶片进行蒸镀膜层处理；b、切割LED晶片的正面或者背面；c、采用低功率切割激光切割深度不超过10μm的切割痕；然后采用隐形切割激光在切割痕进行隐形切割；d、切割后，贴麦拉膜进行常规裂片，得到样片。

进一步地，将普通激光切割器置于隐形切割机中，普通激光头与隐形激光头固定在同一运动轴上。

进一步地，设定普通切割激光的功率为0.2W-1.0W，隐形切割激光功率为0.1W-0.5W。

进一步地，若是在晶片的正面进行切割，在切割前按保护液∶水＝1∶8的比例混合，将混合液均匀涂抹于LED晶片待切割面。

本发明具有以下有益效果

a、能从根本上结合蒸镀各种膜层的晶片与隐形切割的工艺，避免了由于切割而形成的切痕造成蒸镀膜层时的破片。该方法，操作简单，效果明显，使用同轴的两个激光头同时进行时，效率更高。

b、可以有效解决采用蒸镀各种不同的膜层来提高晶片光电参数的切割问题。尤其可以解决大功率背镀金属膜层的晶片需要先隐形切割再背镀而导致破片率升高，良率低的技术问题。

c、本方案既可以用于晶片背切，也可以用于晶片正切，也可以同时正切和背切，适用范围广。

d、结合了普通机激光切割和隐形切割的特点，将其应用于蒸镀了各种膜层的LED晶片切割，对于背镀了布拉格反射层和金属的大功率晶片的背切尤为突出。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

图1是本发明优选实施例LED晶片切割后的结构示意图。