[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具备：

第1导电型半导体基板；

第一第1导电型半导体层，设置于所述半导体基板上，具有比所述半导体基板低的第1导电型杂质浓度；

第二第1导电型半导体层，设置于所述第一第1导电型半导体层上，具有比所述第一第1导电型半导体层高的第1导电型杂质浓度；

相互相邻的第2导电型底部层，设置于从所述第二第1导电型半导体层的上表面朝向所述第一第1导电型半导体层延伸的多个沟槽的底部，与所述第一第1导电型半导体层以及所述第二第1导电型半导体层邻接；

肖特基金属，设置于所述第二第1导电型半导体层上以及所述沟槽内，与所述第2导电型底部层电连接，在与所述第二第1导电型半导体层的结部形成肖特基势垒；以及

阴极电极，设置于所述半导体基板上并与所述半导体基板欧姆连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述沟槽的底位于比所述第二第1导电型半导体层的底更靠近所述半导体基板侧的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还包括第2导电型半导体层，该第2导电型半导体层设置于所述第二第1导电型半导体层的由所述多个沟槽夹着的部分与所述肖特基金属之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

还包括第三第1导电型半导体层，该第三第1导电型半导体层与所述肖特基金属电连接，从所述第2导电型半导体层的上表面穿过所述第2导电型半导体层而到达所述第二第1导电型半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述第三第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度比所述第二第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度低。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二第1导电型半导体层是第1导电型杂质的扩散层，

所述第三第1导电型半导体层是通过所述第二第1导电型半导体层而从所述第一第1导电型半导体层隔开的所述第一第1导电型半导体层的一部分。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述第三第1导电型半导体层从所述肖特基金属的位于所述沟槽内的部分隔着所述第2导电型半导体层而分离。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度从与所述半导体基板相反侧的一端向所述半导体基板侧的一端逐渐增加后逐渐减少。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2导电型半导体层构成所述沟槽的侧壁的上端。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2导电型半导体层构成所述沟槽的侧壁的上端。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第二第1导电型半导体层上还具备第三第1导电型半导体层，该第三第1导电型半导体层与所述肖特基金属电连接，

所述第三第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度比所述第二第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度低。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二第1导电型半导体层是第1导电型杂质的扩散层，

所述第三第1导电型半导体层是通过所述第二第1导电型半导体层而从所述第一第1导电型半导体层隔开的所述第一第1导电型半导体层的一部分。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度从与所述半导体基板相反侧的一端朝向所述半导体基板侧的一端逐渐增加后逐渐减少。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度从与所述半导体基板相反侧的一端朝向所述半导体基板侧的一端逐渐增加后逐渐减少。

15.一种半导体器件，具备：

第1导电型半导体基板；

第一第1导电型半导体层，设置于所述半导体基板上且具备比所述半导体基板低的第1导电型杂质浓度；

第二第1导电型半导体层，设置于所述第一第1导电型半导体层上，具有比所述第一第1导电型半导体层高的第1导电型杂质浓度；

相互相邻的第2导电型底部层，设置于从所述第二第1导电型半导体层的上表面朝向所述第一第1导电型半导体层延伸的多个沟槽的底部，与所述第一第1导电型半导体层以及所述第二第1导电型半导体层邻接；

肖特基金属，设置于所述第二第1导电型半导体层上以及所述沟槽内，与所述第2导电型底部层电连接，在与所述第二第1导电型半导体层的结部形成肖特基势垒；

阴极电极，设置于所述半导体基板上且与所述半导体基板欧姆连接；

第2导电型半导体层，设置于所述第二第1导电型半导体层的由所述多个沟槽夹着的部分与所述肖特基金属之间；以及

第三第1导电型半导体层，与所述肖特基金属电连接，从所述第2导电型半导体层的上表面穿过所述第2导电型半导体层而到达所述第二第1导电型半导体层，其中，

相邻的所述沟槽的底位于比所述第二第1导电型半导体层的底更靠近所述半导体基板侧的位置，

所述第三第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度比所述第二第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度低，

所述第二第1导电型半导体层是第1导电型杂质的扩散层，所述第三第1导电型半导体层是通过所述第二第1导电型半导体层从所述第一第1导电型半导体层隔开的所述第一第1导电型半导体层的一部分，

所述第三第1导电型半导体层从所述肖特基金属的位于所述沟槽内的部分隔着所述第2导电型半导体层而分离，

所述第二第1导电型半导体层的第1导电型杂质浓度从与所述半导体基板相反侧的一端朝向所述半导体基板侧的一端逐渐增加后逐渐减少，

所述第2导电型半导体层构成所述沟槽的侧壁的上端。