[发明专利]一种全反射X射线荧光光谱仪有效
申请号: | 201310190082.6 | 申请日: | 2013-05-21 |
公开(公告)号: | CN103323478A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 杨东华 | 申请(专利权)人: | 杨东华 |
主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 郑自群 |
地址: | 341600 江西省赣*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全反射 射线 荧光 光谱仪 | ||
技术领域
本发明涉及X射线荧光光谱仪,尤其涉及一种全反射X射线荧光光谱仪。
背景技术
在本生和基尔霍夫的发现35年之后,1895年伦琴探测到一种未知的射线,称着X射线。接着,1993年,莫塞莱(Moseley)的著名定律即特征X射线波长与产生该元素的原子序数之间的关系奠定了X射线荧光分析的基础。19世纪40年代中叶,第一台X射线光谱仪诞生。此后的几十年,X射线荧光发展成一种强有力的光谱化学分析方法。但是常规的X射线荧光不适合超痕量分析,而且复杂多变的基体效应将导致系统误差。为克服这些缺点,科学家虽已做出巨大努力,如:分离基体,制成薄膜和进行数学校正。可是,光学原子光谱的新技术在很多方面已超越了常规的X射线荧光技术。
然而,一个创造性的思想,即利用全反射束激发,使X射线荧光技术取得重要进展。早在1923年,康普顿(Compton)就发现了全反射现象,即在仅约0.1°的临界角以下,平面靶的反射率骤然增大。但是,直到1971年,Yoneda和Horiuchi才首先将这一效应用于XRF技术。一开始他们建议将少量样品放在平滑的全反射支撑物上进行分析,其后这种技术得到发展,并称为全反射X射线荧光光谱仪(TXRF)。XRF的原级X射线束约45°角照射样品,其入射角大,不能达到全部掠射,从而也不能达到全反射,使其检测效果不理想。
发明内容
本发明的目的是提供一种全反射X荧光光谱仪,其以小于0.1°的角掠入射,整形成条状的原级束被全反射,用于微量样品和痕量元素化学分析。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种全反射X射线荧光光谱仪,包括:
样品室:包括用于盛放样品的样品台、样品定位装置和用于探测所述样品受X射线照射时产生的荧光的探测器;
X射线管发生装置:用于发射X射线照射至所述样品,所述X射线入射至所述样品的入射角<0.1°;
单色器装置:用于将所述X射线形成单色光;
控制装置:用于接收所述探测器探测到的所述样品产生的荧光,分析所述样品中的元素及含量。
优选地,所述X射线管发生装置包括X射线光管和为所述X射线光管提供电源的高压发生器。
进一步的,所述X射线光管为钼靶X射线光管。
优选地,所述单色器装置包括滤光片、前置狭缝、单色器和后置狭缝,所述X射线依次通过所述滤光片、所述前置狭缝、所述单色器和所述后置狭缝入射至所述样品上。
进一步的,所述单色器为天然晶体。
进一步的,所述前置狭缝为金属材料制成,所述金属材料为银、钢或铂中的一种,其长宽尺寸为20mm×1mm。
优选地,所述探测器为硅漂移探测器,其能量分辨率<155eV。
优选地,所述样品台上设置有样品载体,所述样品载体为圆片。
进一步的,所述圆片直径为30mm,厚2~3mm。
进一步的,所述样品载体为石英载片或丙烯酸玻璃载片。
本发明产生的有益效果是:
本发明提出的全反射X荧光光谱仪其以小于0.1°的角掠入射,整形成条状的原级束被全反射,用于微量样品和痕量元素化学分析,其具体效果表现在以下几点:
1.独特的微量元素分析能力,各种样品的广泛应用;
2.多元素同时测定,探测限低;
3.采用内标简单定量;
4.没有基体或记忆效应,极宽的动态范围;
5.非破坏性的表面和薄层分析;
6.自动操作简单,运行和维护费用低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种全反射X荧光光谱仪的原理示意图;
图2为本发明一种全反射X荧光光谱仪的结构示意图;
图中:1X射线光管;2滤光片;3前置狭缝;4单色器;5后置狭缝;6探测器;7样品台;8样品载体;9高压发生器;10样品表面位移传感器;11控制装置;12样品定位装置。
具体实施方式
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