[发明专利]多芯片封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310194087.6 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN103855120A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 金炫东 申请(专利权)人: 美格纳半导体有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60;H01L25/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱胜;陈炜
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多芯片封装,包括:

多个半导体芯片,所述多个半导体芯片中的每一个均安装在相应的引线框垫上;

引线框,通过接合线连接到所述半导体芯片;以及

固定框,与所述引线框垫中的至少一个一体地形成并且被配置成将所述引线框垫支撑在封装形成衬底上。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中,所述多芯片封装在小外形封装SOP或四侧引脚扁平封装QFP上实现。

3.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中,所述固定框包括在与所述引线框垫的连接部分上形成的阶梯状部分。

4.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中,所述半导体芯片包括一个控制集成电路IC芯片和多个MOSFET芯片。

5.一种用于小外形封装SOP的多芯片封装,所述多芯片封装包括:

第一引线框垫;

第二引线框垫和第三引线框垫,布置在所述第一引线框垫的两个相对侧;

第一至第三半导体芯片,附接到所述第一至第三引线框垫;

引线框,通过接合线连接到所述第一至第三半导体芯片;以及

固定框,与所述第一至第三引线框垫一体地形成,以将所述第一至第三引线框垫支撑在封装形成衬底上。

6.根据权利要求5所述的多芯片封装,其中,所述第一半导体芯片是控制IC芯片,并且所述第二和第三半导体芯片是MOSFET芯片。

7.根据权利要求6所述的多芯片封装,其中,所述固定框和连接到所述MOSFET芯片的漏极的引线框包括局部弯曲的阶梯状部分。

8.一种用于四侧引脚扁平封装QFP的多芯片封装,所述多芯片封装包括:

第一引线框垫;

第二至第四引线框垫,排列在所述第一引线框垫的一侧;

第一至第四半导体芯片,接合到所述第一至第四引线框垫;

多个引线框,通过接合线连接到所述第一至第四半导体芯片;以及

固定框,与所述第一至第四引线框垫一体地形成,以支撑所述第一至第四引线框垫,使得所述第一至第四引线框垫放置在封装形成衬底上。

9.根据权利要求8所述的多芯片封装,其中,所述第一半导体芯片是控制集成电路IC芯片,并且所述第二至第四半导体芯片是MOSFET芯片。

10.根据权利要求9所述的多芯片封装,其中,所述固定框和连接到所述MOSFET芯片的漏极的引线框包括局部弯曲的阶梯状部分。

11.根据权利要求9所述的多芯片封装,其中,连接到所述控制IC芯片的引线框局部以之字形图案形成。

12.根据权利要求9所述的多芯片封装,其中,连接到所述MOSFET芯片的漏极的引线框中的每一个的宽度均大于连接到所述MOSFET芯片的源极的引线框中的每一个和连接到所述控制IC芯片的引线框中的每一个的宽度。

13.根据权利要求9所述的多芯片封装,其中,粘合件以相对于所述引线框的长度方向的正交关系而附接到与所述控制IC芯片连接的每个引线框的上表面。

14.根据权利要求13所述的多芯片封装,其中,所述粘合件包括加热带。

15.一种制造多芯片封装的方法,包括:

将第一芯片安装在第一引线框垫上;

将第二芯片安装在第二引线框垫上;

通过将引线框垫的部分与固定框集成来将所述第一和第二引线框垫放置在封装形成衬底上;以及

关于所述第一和第二芯片以及所述第一和第二引线框垫形成模具。

16.根据权利要求15所述的方法,还包括:将所述第一和第二芯片与引线框用线连接,以使得所述第一和第二芯片放置在所述封装形成衬底的中心部分中,所述引线框从所述中心部分径向向外延伸,并且所述芯片的数量与所述引线框垫的数量相同。

17.根据权利要求15所述的方法,其中,将所述第一和第二芯片安装在所述第一和第二引线框垫上包括利用Ag环氧树脂将所述第一和第二芯片接合到相应的引线框垫。

18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一芯片是控制IC芯片,并且是所述第二芯片是MOSFET芯片。

19.根据权利要求18所述的方法,其中,连接到所述MOSFET芯片的漏极的引线框中的每一个的宽度均大于连接到所述MOSFET芯片的源极的引线框的宽度,并且所述固定框具有阶梯状部分以使得所述引线框垫被放置得低于所述固定框。

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