[发明专利]一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种氧化锌基薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括衬底、绝缘层、沟道层、保护钝化层和电极构成的底或顶栅极结构；其特征在于：

所述的沟道层为ZnLi_xN_yO或ZnMg_zLi_xN_yO；

ZnLi_xN_yO的靶包括ZnO、Li₂O和Zn₃N₂，x=0～0.1，y=0～0.1，厚度为20～60nm；ZnMg_zLi_xN_yO靶包括ZnO、MgO、Li₂O和Zn₃N₂，x=0～0.1，y=0～0.1，z=0.01～0.1，厚度为20～60nm。

2.根据权利要求1所述的一种氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于：所述的绝缘层为SiO₂、HfO₂、ZrO₂或Al₂O₃，厚度为60～300nm。

3.根据权利要求1所述的一种氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于：所述的保护钝化层为SiO₂或Al₂O₃，厚度为0～300nm。

4.根据权利要求1所述的一种氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于：所述的衬底为ITO玻璃或Si。

5.一种氧化锌基薄膜晶体管制作方法，该方法的步骤包括：

步骤一在衬底上制备底电极，然后放入磁控溅射中，进行预处理；

步骤二在步骤一制备的底电极上制备绝缘层，其厚度为60～300nm；

用溅射法制备SiO₂、HfO₂、ZrO₂或Al₂O₃的绝缘层，其功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃；

或用PECVD法制备SiO₂、HfO₂、ZrO₂或Al₂O₃的绝缘层；

或用热氧化法制备SiO₂的绝缘层；

步骤三制备沟道层;

步骤四用磁控溅射法制备SiO₂或Al₂O₃，厚度为0～300nm的保护钝化层；

或用PECVD法制备SiO₂或Al₂O₃的保护钝化层；

步骤五用磁控溅射法或热蒸发法制备电极，制作出氧化锌基薄膜晶体管；

其特征在于：

所述的步骤三制备沟道层;

沟道层材料采用ZnLi_xN_yO时，用磁控溅射法制备ZnLi_xN_yO的沟道层，厚度为20～60nm，x=0～0.1，y=0～0.1，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～860℃；

沟道层材料采用ZnMg_zLi_xN_yO时，用磁控溅射法制备ZnMg_zLi_xN_yO沟道层，厚度为20～60nm，x=0～0.1，y=0～0.1，z=0.01～0.1，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～860℃。