[发明专利]光学临近效应修正方法无效
| 申请号： | 201310195603.7 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103309148A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 何大权;魏芳;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
1.一种光学临近效应修正方法，包括：
提供版图，所述版图具有互连通孔区域；
采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域。
2.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述版图还包括非互连通孔区域。
3.如权利要求2所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，在采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域的步骤中，采用正常光学临近效应修正模型修正所述版图的非互连通孔区域。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，在所述提供版图步骤和所述采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域步骤之间，还包括：对所述版图进行选择性尺寸调整。
5.如权利要求1-3中任意一项所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述版图包括设置于所述互连通孔区域内的金属线以及通孔。
6.如权利要求6所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述金属线的面积大于所述通孔的面积。
7.如权利要求1-3中任意一项所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述负型光学临近效应修正模型为负型光学临近效应修正光阻模型。
8.如权利要求7所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述负型光学临近效应修正光阻模型具有负值的偏移量。
9.如权利要求8所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述偏移量D的大小为：W+5nm≥D≥W-5nm，其中，W为所述通孔暴露部分的尺寸。
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