[发明专利]光学临近效应修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种光学临近效应修正方法。

背景技术

在半导体制造过程中，通常通过把设计图形按一定比例先制作到光掩膜板上，然后再通过光刻机把图形从掩膜板转移至晶圆(wafer)表面，实现版图从设计到晶圆的转移。上述将图形从光掩膜板转移至晶圆过程中，除了要考虑光学临近效应(Optical Proximity Effect，简称OPE)，还必须考虑不同尺寸和密度的图形在曝光过程中的工艺宽度，比如聚焦深度(Depth of Focus，简称DOF)，尤其在关键尺寸(Critical Dimension，简称CD)下不同图形密度的图形会有不同的工艺宽度，但最终的有效工艺宽度将取决于最小的工艺宽度。在大规模生产中，过小的工艺宽度往往引起图形转移失效，从而导致良率的降低。

现有的光学临近效应修正方法的步骤为：

首先，提供版图100，所述版图100具有金属线101以及通孔102，如图1a所示。

然后，对所述版图100进行选择性尺寸调整，如图1b所示。为了提高有效工艺宽度，通常会采用选择性目标尺寸调整、辅助图形法或者两者并用等方法来增加低工艺宽度图形的工艺宽度，以达到增加整体工艺宽度的目的。选择性目标尺寸调整是指将需要调整尺寸的图形选出后按照一定的规则进行尺寸调整的做法，广泛应用于金属层图形修正过程中。以关键尺寸图形为例，通常同一尺寸的密集图形的工艺宽度较大，而相对不够密集的图形的工艺宽度偏小，可以把不密集图形尺寸进行放大，以提高该图形的工艺宽度，放大后的尺寸大小可根据实际晶圆上所得的工艺宽度规格来制定。选择性目标尺寸调整包括对所述金属线101的宽度的调整，也包括对相邻的所述金属线101之间的间距的调整。在增大相邻的所述金属线101之间间距的调整中，经常导致所述金属线101的宽度减小，而使所述通孔102部分裸露的情况，如图1b所示。此时会造成接触电阻增加从而影响器件的性能，极端情况下会引起由于连接失效的器件失效。

接着，采用光学临近效应修正模型修正所述版图100，但是，光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)会产生不利的影响，比如导致图形桥接或断线等。使用正常光学临近修正模型进行修正，通常在选择性目标尺寸调整后，进行所述通孔102部分裸露的补偿来减少其所述通孔102部分裸露程度，但是该方法会产生较多额外的小凹凸(jog)103，如图1c所示，由于所述金属线101已经无法完全覆盖所述通孔102，所以修正完成后，得到的结果也往往无法完全覆盖所述通孔102。图1d为使用光学临近修正模型进行修正后的模拟图，其中所述通孔102A和所述通孔102B都存在部分暴露的情况，而所述通孔102C由于位于凹角处，受到凹角圆化影响，正好能够把它完全覆盖住。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种光学临近效应修正方法，能够改善通孔裸露的情况，有效减少或避免器件失效的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光学临近效应修正方法，包括：

提供版图，所述版图具有互连通孔区域；

采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域。

进一步的，所述版图还包括非互连通孔区域。

进一步的，在采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域的步骤中，采用正常光学临近效应修正模型修正所述版图的非互连通孔区域。

进一步的，在所述提供版图步骤和所述采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域步骤之间，还包括：对所述版图进行选择性尺寸调整。

进一步的，所述版图包括设置于所述互连通孔区域内的金属线以及通孔。

进一步的，所述金属线的面积大于所述通孔的面积。

进一步的，所述负型光学临近效应修正模型为负型光学临近效应修正光阻模型。

进一步的，所述负型光学临近效应修正光阻模型具有负值的偏移量。

进一步的，所述偏移量D的大小为：W+5nm≥D≥W-5nm，其中，W为所述通孔暴露部分的尺寸。