[发明专利]晶圆可接受测试方法有效
| 申请号： | 201310196316.8 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103308840A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 沈茜;席与凌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可接受 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆可接受测试方法，包括：
在晶圆表面选择多个待检测点；
在测试机台中设定每个待检测点的测试电压扫描区间；
使用测试机台对每个待检测点输入测试电压扫描区间的若干测试电压，进行测试；
使用测试机台收取每个测试电压下对应所述待检测点的电性参数，并绘制成电性参数曲线；
根据所述电性参数曲线得出每一待检测点的待检测电性参数的数值。
2.如权利要求1所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述晶圆设有多个切割道。
3.如权利要求2所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述待检测点设置在所述切割道上。
4.如权利要求3所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述待检测点为5个。
5.如权利要求4所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述待检测点均匀分布在所述晶圆的表面。
6.如权利要求1所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述电性参数包括电压、电阻以及电流。
7.如权利要求6所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述电压包括开启电压、饱和电压以及击穿电压。
8.如权利要求6所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述电流包括饱和电流、衬底漏电流以及关闭电流。
9.如权利要求1所述的晶圆可接受测试方法，其特征在于，所述测试电压扫描区间为0V至5V。
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