[发明专利]晶圆可接受测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆可接受测试方法。

背景技术

通常晶圆在制造出来之后，在进入后续切割封装之前，需要对其进行拣选测试，通过拣选测试将最小的单元，即晶粒分类，将有缺陷或是不具备正常工作能力的晶粒标注上记号，并在切割晶圆时将这些晶粒过滤出来丢弃，避免不良的晶粒进入封装及后续制程，造成成本的无端浪费。拣选测试通常包括晶圆可接受测试（WAT,Wafer Acceptance Test）和电路探测（CP,Circuit Probe）。

WAT检测步骤在完成晶圆前期生产之后，以及在晶圆切割和封装之前，用来保证一旦出现由晶圆前期生产中的差错而使晶粒无法正常工作的情况，可以通过WAT提前将其检测出来，以节约成本。由于WAT所测试的项目中，包含了许多项被破坏测试，如果直接应用于晶粒之上，必会造成对晶粒的破坏，从而影响出厂时的良率，因此通常会在制作晶粒时，在每个晶粒与晶粒之间的空隙，也就是切割道（scribe line）上制作测试结构（test key）。WAT测试就是通过对这些测试结构的检测，从而推断其附近晶粒中元件的工作性能是否完好。通常所说的WAT测试参数是指，对这些元件进行电性能测量所得到的电性参数数据，例如连结性测试、阀值电压、漏极饱和电流等。

具体的，在晶圆测试WAT时，先通过测试机台对晶圆表面选中的某一个测试结构施加测试电压，从而由测试机台得出该测试结构的电性参数值，并由测试机台反馈出电性参数值。然而，当晶圆在进行WAT检测时，往往由于外部原因（例如测试机台报警等）会造成其中一些电性参数值发生漂移，即测试机台在测试之后反馈的电性参数值不准确或者无法反馈测试到的电性参数值。发生此类问题时，现有技术通常由人工对晶圆进行二次WAT检测，得出准确的电性参数值，而这样十分耗时和耗力，不利于提高检测效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆可接受测试方法能够经过一次测量得出电性参数，避免了二次检测，提高检测效率。

为了实现上述目的，本发明提出一种晶圆可接受测试方法，包括：

在晶圆表面选择多个待检测点；

在测试机台中设定每个待检测点的测试电压扫描区间；

使用测试机台对每个待检测点输入测试电压扫描区间的若干测试电压，进行测试；

使用测试机台收取每个测试电压下对应所述待检测点的电性参数，并绘制成电性参数曲线；

根据所述电性参数曲线得出每一待检测点的待检测电性参数的数值。

进一步的，所述晶圆设有多个切割道。

进一步的，所述待检测点设置在所述切割道上。

进一步的，所述待检测点为5个。

进一步的，所述待检测点均匀分布在所述晶圆的表面。

进一步的，所述电性参数包括电压、电阻以及电流。

进一步的，所述电压包括开启电压、饱和电压以及击穿电压。

进一步的，所述电流包括饱和电流、衬底漏电流以及关闭电流。

进一步的，所述测试电压扫描区间为0V至5V。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现于：当测试机台对晶圆进行测试时，由于测试机台记录了测试电压扫描区间内所有的电性参数值，因此可以由该区间内所有的电性参数值绘制出电性参数曲线，进而可以由电性参数曲线得出特定的电性参数数值，当测试机台在测试之后反馈的电性参数不准确或者无法反馈电性参数时，无需人工进行第二测试，从而节省了时间和劳动力，提高了检测效率。

附图说明

图1为本发明一实施例中晶圆可接受测试方法的流程图；

图2为本发明实施例一中开启电压与漏端电流的曲线图；

图3为本发明实施例一中源漏极间的击穿电压与漏端电流的曲线图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的晶圆可接受测试方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

实施例一

请参考图1，在本实施例提出的晶圆可接受测试方法，包括：

步骤S100：在晶圆表面选择多个待检测点；其中，所述晶圆设有多个切割道，所述待检测点均设置在所述切割道上；所述待检测点为5个，均匀分布在所述晶圆的表面；