[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极，在所述阳极表面设置封装层，使基板与封装层之间形成封闭空间，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极容置在所述封闭空间内，其特征在于，所述电子传输层的材质为二氧化钛、氧化锌或五氧化二铌。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10～50nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为三氧化钼、三氧化铼、五氧化二钒或三氧化钨。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材质为银、铝、钐或镱。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装层包括交替层叠的二氧化硅和氮化硅。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供清洁的基板；

在所述基板上热阻蒸镀制备阴极，蒸镀条件为压强1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸镀速率为0.2～2nm/s；

在所述阴极上磁控溅射制备电子传输层，所述电子传输层的材质为二氧化钛、氧化锌或五氧化二铌，溅射条件为真空度1×10^-5～1×10^-3Pa，溅射速度0.2～2nm/s；

在所述电子传输层上依次热阻蒸镀制备发光层、空穴传输层和阳极，所述热阻蒸镀条件为压强1×10^-5～1×10^-3Pa，发光层、空穴传输层的蒸镀速率为0.01～1nm/s，阳极的蒸镀速率为0.2～2nm/s；

通过溅射方法制备封装层，所述封装层与所述基板连接形成封闭空间，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极容置于所述封闭空间内，溅射条件为真空度1×10^-5～1×10^-3Pa，溅射速度0.2～2nm/s；

最终得到所述有机电致发光器件。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10～50nm。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材质为三氧化钼、三氧化铼、五氧化二钒或三氧化钨。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极的材质为银、铝、钐或镱。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装层包括交替层叠的二氧化硅和氮化硅。