[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310196472.4 | 申请日: | 2013-05-22 |
公开(公告)号: | CN104183773A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 周明杰;冯小明;张娟娟;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机电致发光领域,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是一种以有机材料为发光材料,能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能,在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。
有机电致发光器件的结构为三明治结构,在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中,两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件,在阳极和阴极加上工作电压后,空穴从阳极,电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中,两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光,然后光从电极发出。
目前,OLED还没有大规模的使用在日常生活中,除了昂贵的价格以外,使用寿命短,也是制约其应用的一个重要原因。在OLED器件中,大量的采用了有机物作为结构的一部分,通常有机物的热稳定性能不佳、导电性能较差,在器件的使用过程中,产生的热量会使有机物发生不同程度的降解,从而导致器件逐渐的失效,使用寿命下降,因此不利于OLED的实际应用。
发明内容
为了解决上述问题,本发明旨在提供一种性能稳定、使用寿命长的有机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极,在所述阳极表面设置封装层,使基板与封装层之间形成封闭空间,所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极容置在所述封闭空间内,所述电子传输层的材质为二氧化钛、氧化锌或五氧化二铌。
电子传输层采用二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)或五氧化二铌(Nb2O5)等高熔点材料,具有较高的热稳定性,其耐热降解性能远远优于有机材料,并且兼具有电子传输和空穴传输性能,性质稳定,可提高OLED器件的使用寿命。
同时,本发明提供的有机电致发光装置,采用倒置结构,将阴极置于基板之上,然后在阴极上依次设置电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极,这样可避免溅射工艺产生的高能粒子破坏发光层的结构,保证了器件的性能稳定性。
优选地,电子传输层的厚度为10~50nm。
优选地,空穴传输层的材质为三氧化钼(MoO3)、三氧化铼(ReO3)、五氧化二钒(V2O5)或三氧化钨(WO3)。
优选地,空穴传输层的厚度为10~50nm。
优选地,基板为玻璃。
优选地,阴极的材质为银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)或镱(Yb)。
优选地,阴极的厚度为18~40nm。
优选地,发光层的材质为掺杂有客体材料的主体材料,所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3),所述主体材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB),所述客体材料在主体材料中的掺杂质量分数为1%~20%。
也优选地,发光层的材质为4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)、4,4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)。
优选地,发光层的厚度为1~15nm。
优选地,阳极的材质为金(Au)、铝(Al)、银(Ag)或其合金。
优选地,阳极的厚度为18~100nm。
优选地,封装层包括交替层叠的二氧化硅和氮化硅。
更优选地,封装层为交替层叠3次的二氧化硅和氮化硅。
优选地,封装层的厚度为600nm。
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