[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ITO层及V₂O₅层，其中ITO层为氧化铟锡。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述ITO层的厚度为20nm～120nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～5nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ITO靶材及V₂O₅靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ITO层表面溅镀V₂O₅层，溅镀所述V₂O₅层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为70W～120W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步骤得到：将SnO₂和In₂O₃粉体按照质量比为1：99～15：85混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述V₂O₅靶材由以下步骤得到：将V₂O₅粉体在700℃～1100℃下烧结制成靶材。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、层叠的ITO层及V₂O₅层，其中ITO层为氧化铟锡。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述ITO层的厚度为20nm～120nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～5nm。

8.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ITO靶材及V₂O₅靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ITO层表面溅镀V₂O₅层，溅镀所述V₂O₅层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为70W～120W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步骤得到：将SnO₂和In₂O₃粉体按照质量比为1：99～15：85混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材；

所述V₂O₅靶材由以下步骤得到：将V₂O₅粉体在700℃～1100℃下烧结制成靶材。

10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的ITO层及V₂O₅层，其中ITO层为氧化铟锡。