[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件（OLED）的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.5～5.1eV，与一般的有机发光层的HOMO能级（典型的为5.7～6.3eV）还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提高。

发明内容

基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。

一种导电薄膜，包括层叠的ITO层及V₂O₅层，其中ITO层为氧化铟锡。

所述ITO层的厚度为20nm～120nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～5nm。

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将ITO靶材及V₂O₅靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ITO层表面溅镀V₂O₅层，溅镀所述V₂O₅层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为70W～120W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

所述ITO靶材由以下步骤得到：将SnO₂和In₂O₃粉体按照质量比为1：99～15：85混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

所述V₂O₅靶材由以下步骤得到：将V₂O₅粉体在700℃～1100℃下烧结制成靶材。

一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的ITO层及V₂O₅层，其中ITO层为氧化铟锡。

所述ITO层的厚度为20nm～120nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～5nm。

一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤：

将ITO靶材及V₂O₅靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ITO层表面溅镀V₂O₅层，溅镀所述V₂O₅层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为70W～120W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2.0Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。

所述ITO靶材由以下步骤得到：将SnO₂和In₂O₃粉体按照质量比为1：99～15：85混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材；