[发明专利]一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法无效
| 申请号： | 201310197236.4 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103305912A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 林鸿良;陈俊 | 申请（专利权）人： | 合肥晶桥光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230041 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cr tm ho 掺杂 lavo sub 发光 材料 及其 熔体法 晶体生长 方法 | ||
1.一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 CrxTmyHozLa1-x-y-zVO4，所述的x、y、z的取值范围为：0.0001≤x≤0.1，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；
一种Cr、Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 CrxTmyHozSc1-x-y-zVO4，所述的x、y、z的取值范围为：0.0001≤x≤0.1，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；
一种 Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 TmyHozLa1-y-zVO4，所述y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；
一种Tm掺杂ScVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 TmzSc1-zVO4 ，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1；
一种Ho掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 HozLa1-zVO4，所述的z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1；
一种Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 HozSc1-zVO4，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1；
一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于：该发光材料分子式可表示为 TmyHozSc1-y-zVO4 ，所述的 y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；
一种Tm掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述发光材料分子式可表示为 TmzLa1-zVO4，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1。
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