[发明专利]一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

说明书

技术领域

    本发明涉及发光材料和晶体生长领域， Cr、Tm、Ho掺杂的钒酸镧Cr_xTm_yHo_zLa_1 -y-zVO₄，以及它们的熔体法晶体生长方法。 

背景技术

随着LD泵浦技术的发展，Tm,Ho双掺成为2 μm波段激光晶体主要的掺杂方式，其中Tm,Ho:YAG是目前最常用的晶体之一。目前该晶体虽然已经获得了瓦级的能量输出，但效率低下，这也成为限制其更广泛应用的瓶颈。因而，探索性能优良的新型Tm,Ho掺杂激光晶体是目前的重要问题。LaVO4具有稳定的化学特性和优良的物理性能，CrxTmyHozLa1-x-y-zVO4 有良好的发光性能，同时，在闪光灯泵浦下，Cr的宽带吸收有利于提高吸收效率，传递给Tm、Ho，而Tm也可有效地将吸收能量传递给Ho，从而实现有效的Ho的2μm光发射。因而CrxTmyHozLa1-x-y-zVO4 有望成为性能优良的新型2μm波段激光晶体，适于灯泵浦和LD泵浦。 

发明内容

本发明的目的是提供稀土钒酸盐Cr_xTm_yHo_zLa_1 -y-zVO₄发光材料及其熔体法晶体生长方法，获得性能优良的发光材料，有望用于显示和激光技术领域。 

本发明是通过以下技术方案实现的： 

一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO₄发光材料，所述发光材料的分子式可表示为 Cr_xTm_yHo_zLa_1-x-y-zVO₄，所述的x、y、z的取值范围为：0.0001≤x≤0.1，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。

一种Cr_xTm_yHo_zLa_1-x-y-zVO₄熔体法晶体生长方法，其特征在于包括以下步骤： 

（1）采用Cr₂O₃、Tm₂O₃、Ho₂O₃、La₂O₃、V₂O₅作为原料，按如下化合式进行配料，将其充分混合均匀后，压制，得生长晶体所需的多晶原料：

所述的化合式为：xCr₂O₃+yTm₂O₃＋zHo₂O₃+(1-x-y-z)La₂O₃+V₂O₅ 2Cr_xTm_yHo_zLa_1 -y-zVO₄

(2)把上述得到的多晶原料放入生长坩埚内，通过加热并充分熔化，获得晶体生长初始熔体；

（3）采用熔体法晶体生长法进行生长，获得Cr_xTm_yHo_zLa_1-x-y-zVO₄ 单晶。